[发明专利]可光聚合的树脂组合物在审
申请号: | 202010106629.X | 申请日: | 2020-02-21 |
公开(公告)号: | CN111599666A | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 姜勳;梁容薰;郑壤镐;崔善华 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;G03F7/004;H01L27/32;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚合 树脂 组合 | ||
提供一种可光聚合的树脂组合物,所述可光聚合的树脂组合物包括第一层和第二层以及设置在第一层与第二层之间的阻挡层,阻挡层包括SiNx、SiOx、SiON、Mo、Mo氧化物、Cu、Cu氧化物、Al、Al氧化物、Ag和Ag氧化物中的一种或更多种。
本申请要求于2019年2月21日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0020762号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开涉及可光聚合的树脂组合物、使用该可光聚合的树脂组合物的显示装置及用于制造该显示装置的方法,更具体地,本公开涉及一种具有多层结构并包括阻挡层的可光聚合的树脂组合物。
背景技术
可将可光聚合的树脂组合物均匀地涂覆或施用在基底上的绝缘层或导电金属层上,以形成构成显示装置的图案。
通常,将可光聚合的树脂组合物涂覆,随后干燥。在预定形状的掩模下方将涂覆的可光聚合的树脂组合物曝光并显影,使得可以形成期望的图案。通过使用掩模来蚀刻金属层或绝缘层,并去除残留的可光聚合的树脂组合物膜,使得可以在基底上形成期望的图案。
将理解的是,本背景技术部分部分地意图提供用于理解技术的有用的背景。然而,本背景技术部分还可以包括想法、构思或认识,所述想法、构思或认识不是在这里公开的主题的相应有效提交日期之前相关领域的技术人员知晓或了解的想法、构思或认识的一部分。
发明内容
已经做出了示例性实施例,以致力于提供具有改善的图案化特性的可光聚合的树脂组合物、使用该可光聚合的树脂组合物的显示装置及用于制造该显示装置的方法。
根据发明的示例性实施例的可光聚合的树脂组合物包括第一层和第二层以及设置在第一层与第二层之间的阻挡层,其中,阻挡层包括SiNx、SiOx、SiON、Mo、Mo氧化物、Cu、Cu氧化物、Al、Al氧化物、Ag和Ag氧化物中的一种或更多种。
“x”可以表示1至4的范围内的数。
第一层和第二层可以包括相同的材料。
第一层和第二层可以具有不同的蚀刻速率。
第一层和第二层可以包括不同的材料。
第一层和第二层可以具有不同的蚀刻速率。
阻挡层可以具有约至约的范围内的厚度。
阻挡层的蚀刻速率可以介于第一层的蚀刻速率与第二层的蚀刻速率之间。
第一层的蚀刻速率可以大于阻挡层的蚀刻速率,阻挡层的蚀刻速率可以大于第二层的蚀刻速率。
第二层的蚀刻速率可以大于阻挡层的蚀刻速率,阻挡层的蚀刻速率可以大于第一层的蚀刻速率。
根据发明的另一示例性实施例,提供了一种用于制造可光聚合的树脂组合物的方法。所述方法包括:施用光致抗蚀剂的第一层;在第一层上形成阻挡层;在阻挡层上施用第二层;通过使用掩模将光致抗蚀剂曝光;以及同时蚀刻曝光的光致抗蚀剂的第一层和第二层,第一层、阻挡层和第二层可以具有不同的蚀刻速率。
第一层的蚀刻速率可以大于阻挡层的蚀刻速率,阻挡层的蚀刻速率可以大于第二层的蚀刻速率。
阻挡层的形成可以包括形成SiNx、SiOx、SiON、Mo、Mo氧化物、Cu、Cu氧化物、Al、Al氧化物、Ag和Ag氧化物中的一种或更多种的阻挡层。
第一层和第二层可以包括相同的材料。
第一层和第二层可以包括相同的材料并具有不同的蚀刻速率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造