[发明专利]运用在人工关节表面的TiN/DLC多层复合薄膜的制备方法有效
申请号: | 202010106812.X | 申请日: | 2020-02-20 |
公开(公告)号: | CN113278919B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 江晓红;周兵兵;刘昱玮 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
主分类号: | C23C14/06 | 分类号: | C23C14/06;C23C14/16;C23C14/32;C23C14/02;A61L27/04;A61L27/30;A61L27/50 |
代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 刘海霞 |
地址: | 210094 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运用 人工关节 表面 tin dlc 多层 复合 薄膜 制备 方法 | ||
1.运用在人工关节表面的TiN/DLC多层复合薄膜的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
步骤1,将洁净的钴铬钼合金基底放入真空室,抽真空,然后通入氩气至气压稳定在8~9×10-2Pa,设置阴极电流为8~10A,阳极电压为90~120V,进行氩离子刻蚀,保持10~15min;
步骤2,采用磁过滤直流阴极弧技术,先在步骤1得到的钴铬钼合金基底表面沉积金属钛过渡层,工作电流为60±2A,沉积时间为1min,厚度为10±2nm,然后通入氮气,氮气分压为1.2×10-1Pa,沉积时间为60min,在金属钛过渡层表面沉积TiN层,再沉积一层金属钛过渡层,沉积时间为1min,厚度为10±2nm;
步骤3,采用脉冲阴极等离子弧技术,沉积外层DLC多层薄膜,先在脉冲频率3Hz和脉冲数1000下沉积一层DLC薄膜,再在脉冲频率10Hz与脉冲数3000下沉积一层DLC薄膜,完成一个单元层DLC薄膜的制备,制备1~4组单元层的DLC多层薄膜,最终制得TiN/DLC多层复合薄膜。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤1中,所述的钴铬钼合金基底经过预处理除去表面灰尘以及油污。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤1中,抽真空至7~8×10-3Pa。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤3中,DLC多层薄膜的单元层组数为2~3组。
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