[发明专利]半导体制造装置构件、半导体制造装置、显示器制造装置

权利要求书

1.一种半导体制造装置用构件，其特征为，

具备：基体材料，包括第1面、与所述第1面发生交叉的第2面、连接所述第1面与所述第2面的棱部分；

及抗粒子层，覆盖所述第1面、所述第2面、所述棱部分，包含多结晶陶瓷，

该抗粒子层包括：设置于所述棱部的第1抗粒子层；

及设置于所述第1面的第2抗粒子层，

所述第1抗粒子层的抗粒子性高于所述第2抗粒子层的抗粒子性。

2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用构件，其特征为，

所述基体材料呈环状，

所述第1面是所述基体材料的内周面，

所述第2面是所述基体材料的上面或下面。

3.根据权利要求2所述的半导体制造装置用构件，其特征为，

所述基体材料具有上端的第1开口及下端的第2开口，

所述第1开口的口径小于所述第2开口的口径，

所述第2面是所述基体材料的上面。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体制造装置用构件，其特征为，所述第1抗粒子层的厚度小于所述第2抗粒子层的厚度。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体制造装置用构件，其特征为，所述第1抗粒子层的厚度为1μm以上、10μm以下。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的半导体制造装置用构件，其特征为，所述抗粒子层包含选自稀土类元素的氧化物、稀土类元素的氟化物及稀土类元素的氟氧化物中的至少一种。

7.根据权利要求6所述的半导体制造装置用构件，其特征为，所述稀土类元素是选自Y、Sc、Yb、Ce、Pr、Eu、La、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Lu中的至少一种。

8.根据权利要求1～7中任意一项所述的半导体制造装置用构件，其特征为，通过40万倍～200万倍倍率的TEM图像算出的所述多结晶陶瓷的平均微晶尺寸为3nm以上、50nm以下。

9.根据权利要求1～8中任意一项所述的半导体制造装置用构件，其特征为，所述第1抗粒子层中的通过40万倍～200万倍倍率的TEM图像算出的所述多结晶陶瓷的平均微晶尺寸小于所述第2抗粒子层中的通过40万倍～200万倍倍率的TEM图像算出的所述多结晶陶瓷的平均微晶尺寸。

10.根据权利要求1～9中任意一项所述的半导体制造装置用构件，其特征为，在基准抗等离子性试验之后的所述第1抗粒子层的算术平均高度Sa1小于在所述基准抗等离子性试验之后的所述第2抗粒子层的算术平均高度Sa2。

11.根据权利要求1～10中任意一项所述的半导体制造装置用构件，其特征为，所述第1抗粒子层及所述第2抗粒子层在基准抗等离子性试验之后分别呈现出0.060以下的算术平均高度Sa。

12.一种半导体制造装置，具备：腔室；

权利要求1～11的任意一项所记载的半导体制造装置用构件；

及静电吸盘，其特征为，

所述腔室具有形成生成等离子体的空间的内壁，

所述内壁具有：配置所述静电吸盘的下侧内壁；及配置成比下侧内壁更靠上方的上侧内壁，

所述半导体制造装置用构件的所述抗粒子层构成所述上侧内壁的至少一部分。

13.一种显示器制造装置，其特征为，具备权利要求1～11的任意一项所记载的半导体制造装置用构件。