[发明专利]半导体制造装置构件、半导体制造装置、显示器制造装置

说明书

本发明提供一种可减少粒子的半导体制造装置用构件。具体而言，提供一种如下半导体制造装置用构件，具备：基体材料，包括第1面、与所述第1面发生交叉的第2面、连接所述第1面与所述第2面的棱部分；及抗粒子层，覆盖所述第1面、所述第2面、所述棱部分，包含多结晶陶瓷，该抗粒子层包括：设置于所述棱部的第1抗粒子层；及设置于所述第1面的第2抗粒子层，所述第1抗粒子层的抗粒子性高于所述第2抗粒子层的抗粒子性。

技术领域

本发明的形态一般涉及一种半导体制造装置用构件及具备该半导体制造装置用构件的半导体制造装置、显示器制造装置。

背景技术

在半导体设备的制造流程中，使用在腔室内进行干刻、溅射(sputtering)及化学汽相沉积(CVD(Chemical Vapor Deposition))等处理的半导体制造装置。在该腔室内，从被加工物或腔室的内壁等有时会产生粒子。由于这样的粒子会成为被制造的半导体设备的成品率降低的要因，因此要求减少粒子。

为了减少粒子，对腔室以及在其周边使用的半导体制造装置用构件要求抗等离子性。于是，采用通过抗等离子性出色的覆盖膜(层)对半导体制造装置用构件的表面进行涂覆的方法。例如，使用在基体材料的表面上形成有氧化钇喷镀膜的构件。但是，有时喷镀膜上会产生裂纹、剥离，不能说耐久性充分。由于覆盖膜的剥离及从覆盖膜的颗粒脱落会成为粒子产生的要因，因此要求抑制覆盖膜与基体材料的剥离。与此相对，专利文献1及专利文献2中公开有使用通过气溶胶沉降法形成的陶瓷膜的半导体或液晶制造装置构件(专利文献1、专利文献2)。另外，专利文献3中公开有在环状或拱状的基体材料的内壁上形成包含元素周期表第3a族元素化合物的喷镀膜的技术。

近几年，推进对半导体设备的微细化，要求以纳米级对粒子进行控制。

专利文献

专利文献1：日本国特开2005-158933号公报

专利文献2：韩国专利20100011576A公报

专利文献3：日本国特开2012-18928号公报

发明内容

本发明所涉及的半导体制造装置用构件具备：基体材料，包括第1面、与所述第1面发生交叉的第2面、连接所述第1面与所述第2面的棱部分；及抗粒子层，覆盖所述第1面、所述第2面、所述棱部分，包含多结晶陶瓷，该抗粒子层包括：设置于所述棱部的第1抗粒子层；及设置于所述第1面的第2抗粒子层。所述第1抗粒子层的抗粒子性高于所述第2抗粒子层的抗粒子性。

半导体制造装置用构件的表面暴露在腐蚀性等离子体气氛中。此时，本发明者们发现了等离子体容易集中于基体材料的棱部分，因等离子体而受的损伤大于第1面，成为粒子产生源的可能性较高。

于是，本发明中，覆盖基体材料的第1面、第2面、棱部分的抗粒子层，构成为包括设置于棱部分的第1抗粒子层及设置于第1面的第2抗粒子层，第1抗粒子层的抗粒子性高于第2抗粒子层的抗粒子性。因此，能够减轻棱部分的等离子体损伤，能够提供一种抗粒子性出色的半导体制造装置用构件。

本发明所涉及的半导体制造装置用构件中还优选如下，所述基体材料呈环状，所述第1面是所述基体材料的内周面，所述第2面是所述基体材料的上面或下面。

如果基体材料呈环状，则能够适当地利用于半导体制造装置的腔室的内壁。当基体材料呈环状时，等离子体容易集中于连接基体材料的内周面与上面的棱部分或连接基体材料的内周面与下面的棱部分。

本发明中，通过使设置于棱部分的第1抗粒子层的抗粒子性高于第2抗粒子层的抗粒子性，从而即使在基体材料呈环状时，也能够减轻棱部分的等离子体损伤。

本发明所涉及的半导体制造装置用构件中还优选如下，所述基体材料具有上端的第1开口及下端的第2开口，所述第1开口的口径小于所述第2开口的口径，所述第2面是所述基体材料的上面。