[发明专利]具有背面接触金属化的晶体管结构的深源极和漏极

权利要求书

1.一种晶体管结构，包括：

鳍，所述鳍包括子沟道区域上方的沟道区域，所述沟道区域包括具有第一杂质浓度的第一半导体材料；

栅极电极，所述栅极电极与所述沟道区域的侧壁相邻，并且在与所述子沟道区域的侧壁相邻的电介质材料上方；

源极区域和漏极区域，所述源极区域和漏极区域在所述栅极电极的相对侧上，其中所述源极区域和所述漏极区域中的至少一个包括：

第二半导体材料，所述第二半导体材料具有大于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度；以及

第三半导体材料，所述第三半导体材料在所述第二半导体材料与所述沟道区域和所述子沟道区域两者的所述侧壁之间，所述第三半导体材料具有超过所述第一杂质浓度、但小于所述第二杂质浓度的第三杂质浓度；

第一接触金属化，所述第一接触金属化耦合至所述源极区域或漏极区域的第一侧，所述第一接触金属化与所述第二半导体材料接触；以及

第二接触金属化，所述第二接触金属化耦合至所述源极区域或漏极区域的与所述第一侧相对的第二侧，所述第二接触金属化也与所述第二半导体材料接触。

2.如权利要求1所述的晶体管结构，其中：

所述源极区域包括在所述沟道区域和所述子沟道区域两者的所述侧壁之间的所述第三半导体材料；

所述第二接触金属化贯穿所述第三半导体材料；以及

与所述子沟道区域相邻的所述第三半导体材料的侧壁大体上在所述栅极电极的侧壁和所述源极区域之间的栅极间隔物的侧壁下方。

3.如权利要求1-2中任一项所述的晶体管结构，其中：

所述第一半导体材料是单晶，并且主要包括硅；

所述第二半导体材料与所述第三半导体材料接触；以及

所述第二和第三半导体材料具有利用所述第一半导体材料的结晶性外延的结晶性。

4.如权利要求3所述的晶体管结构，其中：

与所述第一半导体材料相比，所述第二半导体材料包括更多的锗；

所述第二和第三半导体材料两者都为p型；以及

所述第二和第三杂质浓聚物包括p型杂质掺杂剂。

5.如权利要求3所述的晶体管结构，其中：

所述第一、第二和第三半导体材料各自主要包括硅；以及

所述第二和第三半导体材料两者都为n型，所述第二和第三杂质浓聚物至少包括磷。

6.如权利要求3所述的晶体管结构，其中：

所述子沟道区域是衬底层的一部分；以及

所述第二接触金属化贯穿所述第二半导体材料和所述衬底层之间的所述第三半导体材料的厚度。

7.如权利要求6所述的晶体管结构，其中所述子沟道区域主要包括硅，并且具有与所述沟道区域的导电类型互补的导电类型。

8.如权利要求6所述的晶体管结构，其中：

所述第二接触金属化的侧壁与所述第二半导体材料接触。

9.如权利要求8所述的晶体管结构，其中仅所述第三半导体材料在所述第二接触金属化和所述子沟道区域的所述侧壁之间。

10.如权利要求8所述的晶体管结构，其中所述第三半导体材料在所述第二接触金属化和所述沟道区域的所述侧壁之间。