[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：

衬底；

多个导电层，配置在与所述衬底交叉的第1方向且在与所述第1方向交叉的第2方向上分别延伸；

第1半导体层，在所述第1方向上延伸且与所述多个导电层对向；

存储部，设置在所述第1半导体层与所述多个导电层之间，与所述第1半导体层及所述多个导电层的一部分一起构成存储单元；及

驱动电路，驱动所述存储单元；且

所述多个导电层遍及以下区域形成：

第1区域，配置着所述多个存储单元；

第2区域，设置在比所述第1区域更靠所述第2方向的端部；及

第3区域，与所述第1区域及所述第2区域不同；

且位于所述第3区域的部分与位于所述第1区域及所述第2区域的部分绝缘分离，

所述驱动电路设置在所述第3区域，且具备：

第2半导体层，在所述第1方向上贯通所述多个导电层且在所述第1方向上延伸；及

绝缘层，设置在所述第2半导体层与所述多个导电层之间；

所述第2半导体层的一端经由布线与所述第2区域的所述多个导电层连接，另一端与所述衬底连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第3区域相对于所述第2区域设置在沿与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向邻接的位置，

将所述第2半导体层的一端与所述第2区域的所述多个导电层连接的布线在所述第3方向上延伸。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第3区域相对于所述第1区域设置在沿与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向邻接的位置。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第3区域中所述多个导电层的与所述绝缘层对向的端部在所述第1方向上连接。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第2区域具有：

所述多个导电层的所述第2方向的端部越靠近所述衬底则越远离所述第1区域的阶梯状的接点部、及

一端连接在所述接点部，另一端朝远离所述衬底的朝向延伸的接点，

所述第2半导体层的一端经由所述布线与所述接点的所述另一端连接。

6.一种半导体存储装置，具备：

衬底；

多个导电层，配置在与所述衬底交叉的第1方向且在与所述第1方向交叉的第2方向上分别延伸；

第1构造，在所述第1方向上延伸且与所述多个导电层对向；及

第2构造，在所述第1方向上延伸且与所述多个导电层对向；

所述多个导电层具有：

第1区域，配置着所述第1构造；

第2区域，设置在比所述第1区域更靠所述第2方向的端部；及

第3区域，与所述第1区域及所述第2区域绝缘，且配置着所述第2构造；且

所述第1构造具有：

第1半导体层，在所述第1方向上延伸且与所述多个导电层对向；及

存储部，设置在所述第1半导体层与所述多个导电层之间，与所述第1半导体层及所述多个导电层的一部分一起构成存储单元；

所述第2构造具有：

第2半导体层，在所述第1方向上延伸且与所述多个导电层对向；及

绝缘层，设置在所述第2半导体层与所述多个导电层之间；

所述第2构造的一端经由布线与所述第2区域的所述多个导电层连接，另一端与形成在所述衬底的电路连接。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

所述多个导电层通过在所述第1方向及第2方向上延伸的多个绝缘部，在与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上绝缘分离，

所述经分离的各多个导电层的所述第1区域及第2区域与所述第1构造一起构成存储块。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中

所述多个导电层的所述第3区域对应于所述各存储块而设置，且以与对应的存储块的所述第2区域在所述第3方向上排列的方式配置。