[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

下半导体衬底；

上半导体衬底，所述上半导体衬底与所述下半导体衬底交叠，所述上半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

上栅极结构，所述上栅极结构位于所述上半导体衬底的所述第一表面上；

第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜覆盖所述上栅极结构，其中，所述第一层间绝缘膜位于所述下半导体衬底和所述上半导体衬底之间；和

上接触，所述上接触连接到所述下半导体衬底，其中，所述上接触位于所述上栅极结构的侧表面上，

其中，所述上接触包括第一部分和第二部分，所述第一部分穿透所述上半导体衬底，所述第二部分具有与所述上栅极结构的所述侧表面相邻的侧表面，并且

所述第一部分的宽度朝着所述第二表面而减小。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

导电焊盘，所述导电焊盘在所述第一层间绝缘膜中连接到所述上接触的底表面；和

下接触，所述下接触穿透所述第一层间绝缘膜，并连接所述下半导体衬底和所述导电焊盘。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二部分的宽度朝着所述第一表面而减小。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二部分包括突起，所述突起与所述上栅极结构的底表面相邻，并且朝着所述上栅极结构突出。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

沟道调节膜，所述沟道调节膜设置在所述上半导体衬底的所述第二表面上。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述沟道调节膜向所述上半导体衬底施加压应力或张应力。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述沟道调节膜包括铁电物质。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述沟道调节膜包括硼磷硅酸盐玻璃。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述沟道调节膜包括功函数金属膜以及位于所述上半导体衬底和所述功函数金属膜之间的介电膜。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

第二层间绝缘膜，所述第二层间绝缘膜位于所述上半导体衬底的所述第二表面上，

其中，所述上接触的所述第一部分穿透所述第二层间绝缘膜。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：

源极/漏极区，所述源极/漏极区在所述上半导体衬底中与所述上栅极结构相邻，

其中，所述上接触的所述第一部分穿透所述源极/漏极区。

12.一种半导体器件，包括：

下半导体衬底；

下栅极结构，所述下栅极结构位于所述下半导体衬底的表面上；

下层间绝缘膜，所述下层间绝缘膜位于所述下半导体衬底上，其中，所述下层间绝缘膜覆盖所述下栅极结构；

上半导体衬底，所述上半导体衬底与所述下层间绝缘膜交叠，其中，所述上半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

上栅极结构，所述上栅极结构位于所述上半导体衬底的所述第一表面上；

上层间绝缘膜，所述上层间绝缘膜位于所述上半导体衬底上，其中，所述上层间绝缘膜覆盖所述上栅极结构；和

上接触，所述上接触位于所述上栅极结构的侧表面上，其中，所述上接触穿透所述上半导体衬底和所述上层间绝缘膜，

其中，所述上接触的在与所述第二表面相同的水平高度处的宽度小于所述上接触的在与所述第一表面相同的水平高度处的宽度，并且

所述上接触的侧表面的至少一部分接触所述上栅极结构的所述侧表面。