[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：下半导体衬底；与所述下半导体衬底交叠的上半导体衬底，所述上半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；上栅极结构，所述上栅极结构位于所述上半导体衬底的所述第一表面上；第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜覆盖所述上栅极结构，其中，所述第一层间绝缘膜位于所述下半导体衬底和所述上半导体衬底之间；和上接触，所述上接触连接到所述下半导体衬底，其中，所述上接触位于所述上栅极结构的侧表面上，其中，所述上接触包括第一部分和第二部分，所述第一部分穿透所述上半导体衬底，所述第二部分具有与所述上栅极结构的所述侧表面相邻的侧表面，并且所述第一部分的宽度朝着所述第二表面而减小。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年3月11日提交的韩国专利申请No.10-2019-0027488的优先权，其公开内容通过引用全部合并于此。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件及其制造方法。更具体地，本发明构思涉及三维堆叠半导体器件及其制造方法。

背景技术

作为用于提高半导体器件的密度的微缩技术的一个示例，在衬底上形成具有鳍或纳米线形式的多沟道有源图案(或硅体)的多栅晶体管，并且在多沟道有源图案的表面上形成栅极。

为了进一步提高半导体器件的密度，可以采用用于通过晶片键合而三维地堆叠半导体器件的技术。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：下半导体衬底；上半导体衬底，所述上半导体衬底与所述下半导体衬底交叠，所述上半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；上栅极结构，所述上栅极结构位于所述上半导体衬底的所述第一表面上；第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜覆盖所述上栅极结构，其中，所述第一层间绝缘膜位于所述下半导体衬底和所述上半导体衬底之间；和上接触，所述上接触连接到所述下半导体衬底，其中，所述上接触位于所述上栅极结构的侧表面上，其中，所述上接触包括第一部分和第二部分，所述第一部分穿透所述上半导体衬底，所述第二部分具有与所述上栅极结构的所述侧表面相邻的侧表面，并且所述第一部分的宽度朝着所述第二表面而减小。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：下半导体衬底；下栅极结构，所述下栅极结构位于所述下半导体衬底的表面上；下层间绝缘膜，所述下层间绝缘膜位于所述下半导体衬底上，其中，所述下层间绝缘膜覆盖所述下栅极结构；上半导体衬底，所述上半导体衬底与所述下层间绝缘膜交叠，其中，所述上半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；上栅极结构，所述上栅极结构位于所述上半导体衬底的所述第一表面上；上层间绝缘膜，所述上层间绝缘膜位于所述上半导体衬底上，其中，所述上层间绝缘膜覆盖所述上栅极结构；和上接触，所述上接触位于所述上栅极结构的侧表面上，其中，所述上接触穿透所述上半导体衬底和所述上层间绝缘膜，其中，所述上接触的在与所述第二表面相同的水平高度处的宽度小于所述上接触的在与所述第一表面相同的水平高度处的宽度，并且所述上接触的侧表面的至少一部分接触所述上栅极结构的所述侧表面。

根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：下半导体衬底；导电焊盘，所述导电焊盘位于所述下半导体衬底上；上半导体衬底，所述上半导体衬底与所述下半导体衬底交叠，其中，所述上半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；上栅极结构，所述上栅极结构位于所述上半导体衬底的所述第一表面上，其中，所述上栅极结构包括上栅电极以及位于所述上栅电极的侧表面和底表面上的绝缘结构；上层间绝缘膜，所述上层间绝缘膜位于所述上半导体衬底的所述第一表面和所述导电焊盘之间；和上接触，所述上接触穿透所述上半导体衬底和所述上层间绝缘膜，并连接到所述导电焊盘，其中，所述上接触位于所述上栅极结构的侧表面上，其中，所述绝缘结构的侧表面包括与所述绝缘结构的底表面相邻的第一凹陷，并且所述上接触的第一部分设置在所述第一凹陷中。