[发明专利]一种倒装LED芯片

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括衬底、外延层、透明导电层、填平层、粘附层、反射层、以及电极结构，所述外延层设于衬底上，所述透明导电层设于外延层上，所述填平层设于透明导电层上并将外延层的凹凸结构填平，所述填平层设有若干个第一孔洞，所述粘附层设于填平层上并填充到第一孔洞内与透明导电层形成导电连接，所述反射层设于所述粘附层上并形成全镜面反射结构，所述填平层由透明不导电材料制成，所述粘附层由透明导电材料制成。

2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述透明不导电材料为氧化硅、氧化铝、氮化硅、二氟化镁和氮化硼中的一种或几种。

3.如权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述透明导电材料为ITO、Ni/Au氧化物、AzO和ZnO中的一种或几种。

4.如权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述填平层的厚度为300～1000nm；

所述粘附层的厚度为10～100nm。

5.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一孔洞的直径为3～5μm，第一孔洞的间距为3～5μm。

6.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述外延层设有第二孔洞，所述第二孔洞从第二半导体层刻蚀至第一半导体层；

所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置在第二孔洞裸露出来的第一半导体层上，所述第二电极贯穿反射层、粘接层和填平层并与透明导电层形成导电连接。

7.如权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括保护层，所述保护层覆盖在反射层上，以保护反射层；

所述保护层由钛钨合金制成。

8.如权利要求7所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖在保护层、第一电极和第二电极上，以防止侧边漏电；

所述绝缘层由绝缘材料制成。

9.如权利要求8所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述电极结构还包括第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和第二焊盘设置在绝缘层上，且第一焊盘填贯穿所述绝缘层与第一电极导电连接，所述第二焊盘贯穿所述绝缘层与第二电极导电连接。

10.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述反射层由银制成，所述透明导电层为ITO层。