[发明专利]一种倒装LED芯片

说明书

本发明公开了一种倒装LED芯片，包括衬底、外延层、透明导电层、填平层、粘附层、反射层、以及电极结构，所述外延层设于衬底上，所述透明导电层设于外延层上，所述填平层设于透明导电层上并将外延层的凹凸结构填平，所述填平层设有若干个第一孔洞，所述粘附层设于填平层上并填充到第一孔洞内与透明导电层形成导电连接，所述反射层设于所述粘附层。本发明在倒装LED芯片的透明导电层上形成一层填平层，将外延层的凹凸结构填平，以形成平整的表面，使设置在填平层上的反射层形成全镜面反射，从而使外延层发出的光经过反射层反射后，能够集中从衬底背面出射，进而提高芯片的出光效率。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种倒装LED芯片。

背景技术

参见图1，现有的倒装LED芯片包括衬底10、设于衬底10正面的外延层20、设于外延层20上的ITO层30、设于ITO层30上的反射层40、设于反射层40上的绝缘层50、以及电极60。现有的倒装芯片，外延层20背向衬底10一侧发出的光经过反射层40反射后从衬底10的背面一侧射出。一般的外延层结构表面由于长晶的过程之中，表面会有凹凸不平，从而导致后面镀上的反射层40不能形成完全的镜面，进而使芯片产生色散，光不集中，在封装成白光后，导致光效不好。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种倒装LED芯片，提高芯片的出光效果和出光效率。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种倒装LED芯片，包括衬底、外延层、透明导电层、填平层、粘附层、反射层、以及电极结构，所述外延层设于衬底上，所述透明导电层设于外延层上，所述填平层设于透明导电层上并将外延层的凹凸结构填平，所述填平层设有若干个第一孔洞，所述粘附层设于填平层上并填充到第一孔洞内与透明导电层形成导电连接，所述反射层设于所述粘附层上并形成全镜面反射结构，所述填平层由透明不导电材料制成，所述粘附层由透明导电材料制成。

作为上述方案的改进，所述透明不导电材料为氧化硅、氧化铝、氮化硅、二氟化镁和氮化硼中的一种或几种。

作为上述方案的改进，所述透明导电材料为ITO、Ni/Au氧化物、AzO和ZnO中的一种或几种。

作为上述方案的改进，所述填平层的厚度为300～1000nm；

所述粘附层的厚度为10～100nm。

作为上述方案的改进，所述第一孔洞的直径为3～5μm，第一孔洞的间距为3～5μm。

作为上述方案的改进，所述外延层包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述外延层设有第二孔洞，所述第二孔洞从第二半导体层刻蚀至第一半导体层；

所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述第一电极设置在第二孔洞裸露出来的第一半导体层上，所述第二电极贯穿反射层、粘接层和填平层并与透明导电层形成导电连接。

作为上述方案的改进，还包括保护层，所述保护层覆盖在反射层上，以保护反射层；

所述保护层由钛钨合金制成。

作为上述方案的改进，还包括绝缘层，所述绝缘层覆盖在保护层、第一电极和第二电极上，以防止侧边漏电；

所述绝缘层由绝缘材料制成。

作为上述方案的改进，所述电极结构还包括第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘和第二焊盘设置在绝缘层上，且第一焊盘填贯穿所述绝缘层与第一电极导电连接，所述第二焊盘贯穿所述绝缘层与第二电极导电连接。

作为上述方案的改进，所述反射层由银制成，所述透明导电层为ITO层。

实施本发明，具有如下有益效果：