[发明专利]修正掩膜图案的方法

权利要求书

1.一种修正掩膜图案的方法，其特征在于，包括：

提供一个或多个原始掩膜，每个原始掩膜都包括基底和位于所述基底上方的图案结构，所述图案结构具有原始掩膜图案，每个原始掩膜图案都包括一个或多个子图形，至少一个基底具有基底缺陷；

将所有基底缺陷投影至辅助平面以形成一个或多个缺陷投影；

基于所述一个或多个缺陷投影的位置在所述辅助平面上定义划片槽区域，所述划片槽区域将所述辅助平面分隔为与所述一个或多个子图形相对应的一个或多个芯片区域，所述划片槽区域内的缺陷投影的数量大于所述一个或多个芯片区域内的缺陷投影的数量；

将所有原始掩膜图案的子图形都投影至各自所对应的芯片区域以在所述辅助平面上形成与所述一个或多个芯片区域相对应的一个或多个子图形投影；以及

基于所述一个或多个子图形投影在所述辅助平面上的位置分别调整每个子图形投影所对应的一个或多个子图形在相应原始掩膜图案中的位置。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成与所述一个或多个芯片区域相对应的一个或多个子图形投影之后，基于所述一个或多个子图形投影与所述一个或多个缺陷投影的位置关系调整所述一个或多个子图形投影在所述辅助平面上的位置以减少与所述一个或多个子图形投影重叠的缺陷投影的数量。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，基于所述一个或多个子图形投影与所述一个或多个缺陷投影的位置关系调整所述一个或多个子图形投影在所述辅助平面上的位置以减少与所述一个或多个子图形投影重叠的缺陷投影的数量包括：

基于每个芯片区域内的子图形投影和缺陷投影的位置关系建立所述每个芯片区域的缺陷影响度函数；

利用所述缺陷影响度函数获得所述子图形投影在所述辅助平面上的新位置；以及

将所述子图形投影位移至所述新位置。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，基于所述每个芯片区域内的子图形投影和缺陷投影的位置关系建立所述每个芯片区域的缺陷影响度函数包括：

将所述每个芯片区域划分为多个坐标格；

分别确定每个坐标格与所述子图形投影的位置关联度；

分别确定每个坐标格与所述缺陷投影的位置关联度；

基于每个坐标格与所述子图形投影的位置关联度以及每个坐标格与所述缺陷投影的位置关联度确定确定每个坐标格的缺陷影响度；以及

根据每个坐标格的缺陷影响度生成所述每个芯片区域的缺陷影响度函数。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，利用所述缺陷影响度函数获得所述子图形投影在所述辅助平面上的新位置包括：

通过梯度寻优方法获得所述缺陷影响度函数的极小值所对应的解；以及

基于所述解生成所述子图形投影在所述辅助平面上的新位置。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述每个坐标格为矩形，所述矩形的长边为1nm至5nm，所述矩形的短边为为1nm至5nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

基于调整后的子图形生成相应的新掩膜图案；以及

基于所述新掩膜图案在相应的基底上生成新的图案结构，以获得新的掩膜。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述划片槽区域的宽度为60μm至70μm。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述划片槽区域内的缺陷投影与所述一个或多个芯片区域中的任意一个的距离大于5μm。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个芯片区域均为矩形。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述一个或多个芯片区域内的缺陷投影的数量小于所有基底中的未被图案结构覆盖的缺陷的数量。