[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 202010112622.9 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN111162111B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 张浩;王景泉;王博 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06V40/16 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄丽 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置,用以缓解盲孔区不发光引起的显示缺陷,提高显示效果。本申请实施例提供的一种显示面板,所述显示面板的显示区包括:盲孔区以及包围所述盲孔区的光学补偿区;所述光学补偿区包括:围绕所述盲孔区的光学补偿子像素,以及位于所述光学补偿子像素靠近所述盲孔区一侧的反射结构;在垂直于所述显示面板所在平面的方向上,部分所述反射结构的正投影与所述光学补偿子像素的正投影有交叠。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
现有技术,对于具有人脸识别功能的全面屏显示产品,需要设法将人脸识别装置放置在显示屏下,进行屏下人脸识别,因此,屏下人脸识别的区域需要满足显示屏的高透过率,这样显示屏需要设置盲孔区,而盲孔区不设置子像素,无法进行显示。
综上,现有技术具有人脸识别功能的全屏显示产品,当全屏显示时,由于盲孔区不发光,屏幕上会有暗点,全屏显示具有显示缺陷,影响显示整体效果。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置,用以缓解盲孔区不发光引起的显示缺陷,提高显示效果。
本申请实施例提供的一种显示面板,所述显示面板的显示区包括:盲孔区以及包围所述盲孔区的光学补偿区;所述光学补偿区包括:围绕所述盲孔区的光学补偿子像素,以及位于所述光学补偿子像素靠近所述盲孔区一侧的反射结构;在垂直于所述显示面板所在平面的方向上,部分所述反射结构的正投影与所述光学补偿子像素的正投影有交叠。
本申请实施例提供的显示面板,由于在盲孔区周围设置有光学补偿区,光学补偿区的光学补偿子像素发光出的光通过反射结构多次反射可以射入盲孔区,从而使得显示上用户观察到的盲孔区尺寸远小于盲孔区实际尺寸,从而可以补偿盲孔区不发光造成的显示缺陷,提高显示效果,提升用户体验。
可选地,所述光学补偿子像素包括:具有斜面的平坦化层,以及在所述平坦化层之上依次堆叠的阳极、发光功能层以及阴极;所述阳极在所述平坦化层上的正投影、所述发光功能层在所述平坦化层上的正投影以及所述阴极在所述平坦化层上的正投影均覆盖所述斜面;所述斜面朝向所述盲孔区。
本申请实施例提供的显示面板,光学补偿子像素包括具有斜面的平坦化层,斜面朝向盲孔区,从而光学补偿子像素中斜面对应的出光面朝向盲孔区,即倾斜出光面射出的光可以通过反射结构射入盲孔区,可以提高盲孔区光射入量,进一步缩小显示上观察的盲孔的尺寸,进一步提高显示效果。
可选地,所述显示面板还包括:衬底基板,位于所述衬底基板与所述平坦化层之间的薄膜晶体管;位于所述阴极之上的封装层,位于所述封装层之上的触控电极;
所述反射结构包括:与所述触控电极同层设置的第一反射层,以及与所述薄膜晶体管的任一电极层同层设置的第二反射层。
可选地,所述第二反射层与最接近所述平坦化层的所述薄膜晶体管的源漏电极层同层设置。
本申请实施例提供的显示面板,第二反射层与最接近所述平坦化层的薄膜晶体管的源漏电极层同层设置,从而可以避免光经过更多膜层产生反射、折射等造成的光损失,提高盲孔区光射入量,进一步缩小显示上观察的盲孔的尺寸,进一步提高显示效果。
可选地,所述第一反射层包括多个相互间隔的第一环状反射部件;所述第一环状反射部件包围所述盲孔区;所述第二反射层包括多个相互间隔的第二环状反射部件;所述第二环状反射部件包围所述盲孔区。
可选地,所述斜面与所述显示面板所在平面的夹角为20°~30°。
可选地,所述斜面的长度为2微米~3微米。
可选地,所述显示区还包括:所述光学补偿区之外的子像素区;所述子像素区包括子像素;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的