[发明专利]一种芯片静电损伤的定位方法及装置

权利要求书

1.一种芯片静电损伤的定位方法，其特征在于，包括：

对于芯片的失效样品，采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，以得到失效样品的初始失效点；

基于失效样品的初始失效点，采用锁相技术增强测试系统调节锁相缺陷定位热发射显微镜的定位参数后，再次采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，以得到失效样品的新增失效点；

采用扫描电子显微镜，对初始失效点和新增失效点的特征信息进行分析，以将初始失效点和新增失效点中特征信息与设定的静电损伤信息相同的部分失效点，确定为样品的静电损伤点；其中，特征信息，包括：形貌、尺寸、和/或在样品中所处区域。

2.根据权利要求1所述的芯片静电损伤的定位方法，其特征在于，采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，包括：

对锁相缺陷定位热发射显微镜进行初始化处理，以将锁相缺陷定位热发射显微镜的锁相信号进行初始化；

对锁相信号初始化后，利用锁相缺陷定位热发射显微镜评估失效样品中缺陷位置信息，作为初始失效点。

3.根据权利要求1或2所述的芯片静电损伤的定位方法，其特征在于，定位参数，包括：输入方波信号的频率；

再次采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，包括：

在锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品的初始失效点的基础上，调节锁相缺陷定位热发射显微镜的输入方波信号的频率后再次进行定位评估，并确定是否出现新缺陷；

若出现新缺陷，则将新缺陷位置作为新增失效点；

若未出现新缺陷，则对锁相缺陷定位热发射显微镜的输入方波信号的幅值进行调节。

4.根据权利要求3所述的芯片静电损伤的定位方法，其特征在于，定位参数，包括：输入方波信号的幅值；

再次采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，包括：

调节锁相缺陷定位热发射显微镜的输入方波信号的幅值后再次进行定位评估，并再次确定是否出现新缺陷；

若出现新缺陷，则将新缺陷位置也作为新增失效点，并确定是否需要延长评估时间进行定位评估；

若未出现新缺陷，则重新调节锁相缺陷定位热发射显微镜的输入方波信号的频率后再次进行定位评估。

5.根据权利要求4所述的芯片静电损伤的定位方法，其特征在于，定位参数，包括：定位评估的评估时间；

再次采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，包括：

将初始失效点的位置信息作为第一数据集，将新增失效点的位置信息作为第二数据集，确定第二数据集与第一数据集之间的差值是否大于零；

若第二数据集与第一数据集之间的差值大于零，则停止当前的定位评估，以完成对失效样品中缺陷位置的定位评估；

若第二数据集与第一数据集之间的差值小于或等于零，则延长锁相缺陷定位热发射显微镜的评估时间后，继续采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中缺陷位置进行定位评估，并将新缺陷也作为新增失效点。

6.根据权利要求1或2所述的芯片静电损伤的定位方法，其特征在于，还包括：

收集芯片的样品，获取样品的电气参数；其中，电气参数，包括：端口电压、端口电流、静态电流、和/或功能；

确定样品的电气参数是否与设定的失效样品的失效电气参数相同；

若样品的电气参数与设定的失效样品的失效电气参数相同，则确定芯片的样品为失效样品。