[发明专利]一种芯片静电损伤的定位方法及装置

说明书

本发明公开了一种芯片静电损伤的定位方法及装置，该方法包括：对于芯片的失效样品，采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，以得到失效样品的初始失效点；调节锁相缺陷定位热发射显微镜的定位参数后，再次采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，以得到失效样品的新增失效点；采用扫描电子显微镜，对初始失效点和新增失效点的特征信息进行分析，以将初始失效点和新增失效点中特征信息与设定的静电损伤信息相同的部分失效点，确定为样品的静电损伤点。本发明的方案，可以解决芯片损伤位置的定位难度较大影响芯片的可靠性的问题，达到减小芯片损伤位置的定位难度以提升芯片的可靠性的效果。

技术领域

本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种芯片静电损伤的定位方法及装置，尤其涉及一种提升芯片静电损伤类缺陷定位的方法及装置。

背景技术

IC集成电路的集成度越来越高，器件的尺寸越发减小，多层布线更为复杂，对半导体器件的可靠性，特别是失效分析中的缺陷定位提出更高的要求。一般而言，静电损伤(ESD)具有随机性和持续性，主要又分为突发性完全失效和潜在性失效。特别是潜在性失效的损伤较小，表现为间歇性失效，具有较强的隐蔽性，因此，在实验中很难评估到，很难和过电损伤(EOS)区分，对半导体器件的可靠性带来较大的隐患。

上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述缺陷，提供一种芯片静电损伤的定位方法及装置，以解决芯片损伤位置的定位难度较大影响芯片的可靠性的问题，达到减小芯片损伤位置的定位难度以提升芯片的可靠性的效果。

本发明提供一种芯片静电损伤的定位方法，包括：对于芯片的失效样品，采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，以得到失效样品的初始失效点；基于失效样品的初始失效点，采用锁相技术增强测试系统调节锁相缺陷定位热发射显微镜的定位参数后，再次采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，以得到失效样品的新增失效点；采用扫描电子显微镜，对初始失效点和新增失效点的特征信息进行分析，以将初始失效点和新增失效点中特征信息与设定的静电损伤信息相同的部分失效点，确定为样品的静电损伤点；其中，特征信息，包括：形貌、尺寸、和/或在样品中所处区域。

可选地，采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，包括：对锁相缺陷定位热发射显微镜进行初始化处理，以将锁相缺陷定位热发射显微镜的锁相信号进行初始化；对锁相信号初始化后，利用锁相缺陷定位热发射显微镜评估失效样品中缺陷位置信息，作为初始失效点。

可选地，定位参数，包括：输入方波信号的频率；再次采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，包括：在锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品的初始失效点的基础上，调节锁相缺陷定位热发射显微镜的输入方波信号的频率后再次进行定位评估，并确定是否出现新缺陷；若出现新缺陷，则将新缺陷位置作为新增失效点；若未出现新缺陷，则对锁相缺陷定位热发射显微镜的输入方波信号的幅值进行调节。

可选地，定位参数，包括：输入方波信号的幅值；再次采用锁相缺陷定位热发射显微镜对失效样品中的缺陷位置进行定位评估，包括：调节锁相缺陷定位热发射显微镜的输入方波信号的幅值后再次进行定位评估，并再次确定是否出现新缺陷；若出现新缺陷，则将新缺陷位置也作为新增失效点，并确定是否需要延长评估时间进行定位评估；若未出现新缺陷，则重新调节锁相缺陷定位热发射显微镜的输入方波信号的频率后再次进行定位评估。