[发明专利]应用于背照式图像传感器芯片的电感在审
| 申请号： | 202010116502.6 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113380770A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 乔劲轩;陈志远 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 背照式 图像传感器 芯片 电感 | ||
1.一种应用于背照式图像传感器芯片的电感，其特征在于，
所述图像传感器芯片包括具有相对的正面和背面的半导体衬底，其中光从背面进入衬底，设置于所述衬底正面的主体电路与设置于所述衬底背面的芯片焊盘彼此连接；
与所述图像传感器芯片相连的封装基板或电路板上设置有封装焊盘；
用于连接所述芯片焊盘和所述封装焊盘的键合线作为电感。
2.如权利要求1所述的应用于背照式图像传感器芯片的电感，其特征在于，所述衬底背面具有单层金属，所述单层金属作为所述芯片焊盘。
3.如权利要求1所述的应用于背照式图像传感器芯片的电感，其特征在于，所述衬底背面具有多层金属，其中最厚的一层金属或多层金属作为所述芯片焊盘。
4.如权利要求2或3所述的应用于背照式图像传感器芯片的电感，其特征在于，所述金属凸出于衬底背面的表面。
5.如权利要求2或3所述的应用于背照式图像传感器芯片的电感，其特征在于，所述金属位于衬底背面的凹槽之中。
6.如权利要求5所述的应用于背照式图像传感器芯片的电感，其特征在于，所述凹槽贯穿所述衬底的半导体材料，设置于所述衬底正面的氧化层作为所述凹槽的底部。
7.如权利要求5所述的应用于背照式图像传感器芯片的电感，其特征在于，所述金属的侧壁与所述凹槽的侧壁间隔一定距离。
8.如权利要求1所述的应用于背照式图像传感器芯片的电感，其特征在于，所述芯片焊盘与所述主体电路通过通孔或沟槽连接。
9.如权利要求1所述的应用于背照式图像传感器芯片的电感，其特征在于，所述芯片焊盘与所述主体电路的电源线金属、地线金属或信号线金属连接。
10.如权利要求1所述的应用于背照式图像传感器芯片的电感，其特征在于，所述主体电路包括振荡器电路。
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