[发明专利]研削装置及研削方法

说明书

本发明的实施方式涉及一种研削装置及研削方法。实施方式的研削装置其特征在于：工作台，保持衬底；磨石驱动部，可在保持磨石的状态下旋转；以及位置调整部，调整磨石驱动部与工作台的相对位置。磨石包括：具有第1研削面及第2研削面的阶差，磨石驱动部的旋转中心与第1研削面的第1距离和旋转中心与第2研削面的第2距离不同。位置调整部将相对位置从使第1研削面与衬底的端面接触的第1状态调整为使第2研削面与端面接触的第2状态。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2019-163965号(申请日：2019年9月9日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种研削装置及研削方法。

背景技术

作为加工衬底(晶圆)的工序之一，有利用磨石研削衬底的端面(晶圆边缘)的整修加工。伴随该整修加工，产生磨石局部变形的不均匀磨耗。因此，要进行矫正磨石的不均匀磨耗的修整。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够提高衬底加工的处理量的研削装置及研削方法。

实施方式的研削装置其特征在于包括：工作台，保持衬底；磨石驱动部，可在保持磨石的状态下旋转；以及位置调整部，调整磨石驱动部与工作台的相对位置。磨石包括：具有第1研削面及第2研削面的阶差，磨石驱动部的旋转中心与第1研削面的第1距离和旋转中心与第2研削面的第2距离不同。位置调整部将相对位置从使第1研削面与衬底的端面接触的第1状态调整为使第2研削面与端面接触的第2状态。

附图说明

图1是表示第1实施方式的研削装置的概略构成的示意图。

图2(a)是第1实施方式的研削磨石的概略图。

图2(b)是变化例的研削磨石的概略图。

图3(a)是将位置调整部的周边放大所得的图。

图3(b)是图3(a)的平面图。

图4是说明第1实施方式的研削装置的研削动作的流程图。

图5(a)是用来说明整修加工的图。

图5(b)是用来说明整修加工的图。

图6是表示第2实施方式的研削装置的概略构成的示意图。

图7是图6所示的研削装置的俯视图。

图8是说明第2实施方式的研削装置的修整动作的流程图。

图9是用来说明修整的图。

图10(a)是表示修整初期的磨石部的状态的图。

图10(b)是表示修整末期的磨石部的状态的图。

图11是表示驱动修整磨石所需的驱动电流的变化的曲线图。

具体实施方式

以下，参照附图来说明实施方式。

(第1实施方式)

图1是表示第1实施方式的研削装置的概略构成的示意图。图1所示的研削装置1具备工作台10、工作台驱动部20、研削磨石30、磨石驱动部40、位置调整部50、喷嘴60及终端70。

在工作台10设置着真空吸盘11。利用真空吸盘11将衬底101及衬底102保持在工作台10上。衬底101及衬底102是相互贴合的硅晶圆。在作为研削对象的衬底101上例如形成着将字线积层所得的三维型半导体存储器。另一方面，在衬底102上例如形成着使衬底101上的三维型半导体存储器驱动的驱动电路。在本实施方式中，将2片衬底保持在工作台10上，衬底的片数也可以是1片。