[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202010116555.8 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113380885A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 穆克军 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 汪洁丽 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：
在掺杂区的表层形成源区和/或漏区，所述掺杂区具有第一导电类型，所述源区和漏区具有第二导电类型；
在所述掺杂区上形成第一介质层，所述第一介质层开设有暴露出所述源区和/或漏区的窗口；
通过所述窗口形成与所述源区和/或漏区接触的垫高层，所述垫高层具有第二导电类型；
在所述第一介质层和所述垫高层上形成第二介质层，所述第二介质层开设有穿透所述第二介质层并延伸至所述垫高层内部的接触孔；
在所述接触孔内填充电极材料，形成与所述垫高层接触的电极。
2.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述垫高层的材质为多晶硅，所述垫高层的掺杂浓度大于所述源区和/或漏区的掺杂浓度。
3.如权利要求2所述的半导体器件制备方法，其特征在于，通过所述窗口形成与所述源区和/或漏区接触的垫高层，包括：
沉积多晶硅，所述多晶硅填充所述窗口并覆盖所述窗口以外的区域；
回刻所述多晶硅，去除所述窗口以外区域的多晶硅和所述窗口顶部的多晶硅，保留所述窗口底部的多晶硅，形成所述垫高层。
4.如权利要求3所述的半导体器件制备方法，其特征在于，在沉积多晶硅期间，对多晶硅进行掺杂，使所沉积的多晶硅具有第二导电类型。
5.如权利要求3所述的半导体器件制备方法，其特征在于，在保留所述窗口底部的多晶硅后，对所保留的多晶硅进行掺杂，形成具有第二导电类型的垫高层。
6.如权利要求2所述的半导体器件制备方法，其特征在于，在所述接触孔内填充导电材料之前，还包括：
通过所述接触孔在所述垫高层所暴露的表面形成金属硅化物。
7.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层均为二氧化硅。
8.如权利要求1至7任一项所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述半导体器件为动态随机存取存储器。
9.一种半导体器件，其特征在于，包括：
掺杂区，所述掺杂区的表层形成有源区和/或漏区，所述掺杂区具有第一导电类型，所述源区和漏区具有第二导电类型；
垫高层，形成于所述源区和/或漏区上并与所述源区和/或漏区接触，所述垫高层具有第二导电类型；
介质层，形成于所述掺杂区和所述垫高层上；
电极，穿透所述介质层并延伸至所述垫高层内部以与所述垫高层电连接。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述垫高层的材质为多晶硅，所述垫高层的掺杂浓度大于所述源区和/或漏区的掺杂浓度。
11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，在所述垫高层与所述电极的接触面还形成有金属硅化物。
12.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述掺杂区为具有第一导电类型的半导体衬底或形成于半导体衬底内的具有第一导电类型的阱区。
13.如权利要求9至12任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为动态随机存取存储器。
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