[发明专利]半导体器件及其制备方法

说明书

本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括掺杂区，掺杂区内形成源区和/或漏区，掺杂区具有第一导电类型，源区和/或漏区具有第二导电类型；垫高层形成于源区和/或漏区上并与源区和/或漏区接触，垫高层具有第二导电类型；层间介质层形成于掺杂区和垫高层上；电极穿透介质层并延伸至垫高层内部以与垫高层电连接。本申请通过在源区和/或漏区上增加垫高层，在开设接触孔的刻蚀过程中，即使刻蚀工艺精度不高，也可以减小接触孔过于接近耗尽层而导致结漏电。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术

在制备半导体器件时，会在具有第一导电类型的掺杂区形成具有第二导电类型的源区和漏区，当源区和漏区之间的掺杂区形成反型层时，便能形成电流通路。在常规的工艺制程中，电极穿透介质层并延伸至源区和漏区内以与源区和漏区接触。然而，在对半导体器件进行电性性能测试时，半导体器件的漏电现象比较明显，而漏电较大将会导致器件功耗较大，从而影响器件的稳定性和使用寿命。

发明内容

基于此，针对上述半导体器件漏电较大的问题，本申请提出一种半导体器件及其制备方法。

为解决上述技术问题，本申请提出的第一种技术方案为：

一种半导体器件制备方法，包括：

在掺杂区的表层形成源区和/或漏区，所述掺杂区具有第一导电类型，所述源区和/或漏区具有第二导电类型；

在所述掺杂区上形成第一介质层，所述第一介质层开设有暴露出所述源区和/或漏区的窗口；

通过所述窗口形成与所述源区和/或漏区接触的垫高层，所述垫高层具有第二导电类型；

在所述第一介质层和所述垫高层上形成第二介质层，所述第二介质层开设有穿透所述第二介质层并延伸至所述垫高层内部的接触孔；

在所述接触孔内填充电极材料，形成与所述垫高层接触的电极。

在其中一个实施例中，所述垫高层的材质为多晶硅，所述垫高层的掺杂浓度大于所述源区和/或漏区的掺杂浓度。

在其中一个实施例中，通过所述窗口形成与所述源区和/或漏区接触的垫高层，包括：

沉积多晶硅，所述多晶硅填充所述窗口并覆盖所述窗口以外的区域；

回刻所述多晶硅，去除所述窗口以外区域的多晶硅和所述窗口顶部的多晶硅，保留所述窗口底部的多晶硅，形成所述垫高层。

在其中一个实施例中，在沉积多晶硅期间，对多晶硅进行掺杂，使所沉积的多晶硅具有第二导电类型。

在其中一个实施例中，在保留所述窗口底部的多晶硅后，对所保留的多晶硅进行掺杂，形成具有第二导电类型的垫高层。

在其中一个实施例中，在所述接触孔内填充导电材料之前，还包括：

通过所述接触孔在所述垫高层所暴露的表面形成金属硅化物。

在其中一个实施例中，所述第一介质层和所述第二介质层均为二氧化硅。

在其中一个实施例中，所述半导体器件为动态随机存取存储器。

为解决上述技术问题，本申请提出的第二种技术方案为：

一种半导体器件，包括：

掺杂区，所述掺杂区的表层形成有源区和/或漏区，所述掺杂区具有第一导电类型，所述源区和/或漏区具有第二导电类型；

垫高层，形成于所述源区和/或漏区上并与所述源区和/或漏区接触，所述垫高层具有第二导电类型；

介质层，形成于所述掺杂区和所述垫高层上；