[发明专利]复合膜及其制备方法

权利要求书

1.一种复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

对低k材料基膜进行表面处理；其中，所述低k材料基膜的材料包括PTFE、PSF、PPO、PPS、PEEK、PEK、PEKK、PEKEKK、PEEKK、PI和MPI其中至少一种；

将超低介电常数材料涂覆在所述低k材料基膜一侧面上以形成超k材料涂层；其中，所述超低介电常数材料包括Nanoglass、HSQ、SiLK、BCB、FOx、MSQ、HOSP、Black Diamond、Coral和Aurora其中至少一种；

将导电材料沉积在所述超k材料涂层远离所述低k材料基膜的一侧面上以形成导电层，得到预备复合膜；

对所述预备复合膜进行热处理及固化处理，得到复合膜。

2.根据权利要求1所述的复合膜的制备方法，其特征在于，所述导电材料包括液态金属、纳米金属浆料、金属靶材、石墨烯和导电高分子其中至少一种。

3.根据权利要求2所述的复合膜的制备方法，其特征在于，所述液态金属包括液态镓、液态铷、液态铯和液态汞其中至少一种，所述纳米金属浆料包括纳米银浆料、纳米铜浆料、纳米金浆料、纳米铝浆料和纳米镍浆料其中至少一种，所述金属靶材包括金靶材、银靶材、铜靶材、镍靶材、铝靶材、钛靶材和不锈钢靶材其中至少一种，所述导电高分子包括PAN和PPy其中至少一种。

4.根据权利要求1～3中任一所述的复合膜的制备方法，其特征在于，所述表面处理为等离子体表面处理或表面多孔处理。

5.根据权利要求4所述的复合膜的制备方法，其特征在于，所述等离子体表面处理为直流等离子体处理或交流等离子体处理，所述表面多孔处理为激光打孔处理或刻蚀处理。

6.根据权利要求1～3中任一所述的复合膜的制备方法，其特征在于，所述涂覆方法为旋涂、刷涂、浸涂或流涂。

7.根据权利要求1～3中任一所述的复合膜的制备方法，其特征在于，所述沉积方法为3D打印、丝网印刷、物理气相沉积或真空镀。

8.一种复合膜，其特征在于，包括：

经过表面处理的低k材料基膜；所述低k材料基膜的材料包括PTFE、PSF、PPO、PPS、PEEK、PEK、PEKK、PEKEKK、PEEKK、PI和MPI其中至少一种；

超k材料涂层，所述超k材料涂层涂覆在所述低k材料基膜的一侧面上；所述超k材料涂层的材料包括Nanoglass、HSQ、SiLK、BCB、FOx、MSQ、HOSP、Black Diamond、Coral和Aurora其中至少一种；及

导电层，所述导电层沉积在所述超k材料涂层远离所述低k材料基膜的一侧面上。