[发明专利]复合膜及其制备方法

说明书

本发明涉及电子材料领域，公开了一种复合膜及其制备方法，该方法包括以下步骤：对低k材料基膜进行表面处理；将超低介电常数材料涂覆在低k材料基膜一侧面上以形成超k材料涂层；将导电材料沉积在超k材料涂层远离低k材料基膜的一侧面上以形成导电层，对所述预备复合膜进行热处理及固化处理，得到复合膜。本发明能够降低复合膜的介电常数和介电损耗的同时，还能够提高低k材料基膜与导电层之间粘结性。

技术领域

本发明涉及电子材料领域，特别是涉及一种复合膜及其制备方法。

背景技术

随着5G时代的到来，相比于4G，5G的各项参数都有质的飞跃，这是由于 5G高频率下的频带还没被划分，可以用的带宽高，因此网络速度快。目前来说，国际国内主流规划的5G频段可分为5G低频频段和5G高频频段。现在正在进行的5G技术试验主要以28GHz进行。由于电磁波具有频率越高，波长越短，越容易在传播介质中衰减的特点，频率越高，要求天线材料的损耗越小。这就对于5G高频天线材料的介电损耗提出了更高的要求。与此同时，在超大规模集成电路中集成度不断提高，当集成电路的特征尺寸变得更小时，多层布线和逻辑互联层数增加，从而互连寄生的电阻，电容引起的RC延迟上升，这限制了高速性能并导致能耗增加。串扰和能耗已成为发展高速、高密度、低功耗和多功能集成电路急需解决的瓶颈问题。层间及线间介质需要应用新型的更低介电常数材料，来提高器件的集成度并进一步减小延迟时间。

4G时代的天线制造材料最初采用PI(聚酰亚胺)膜。但PI膜在10Ghz以上损耗明显，无法满足5G终端的需求。LCP(Liquid Crystal Polymer，液晶聚合物)逐渐得到应用。由于LCP造价昂贵、工艺复杂，目前MPI(Modified Polyimide，改良的聚酰亚胺)成为5G时代早期天线材料的主流选择之一。由于 PI膜具有较高的技术门槛及材料特殊性，目前PI膜主要供应商仍为海外企业，包括杜邦(Dupont)、日本宇部兴产(Ube)、钟渊化学(Kaneka)、韩国SKCK-OLONPI和国内企业台湾地区的达迈科技等，这几家公司基本垄断了电子级聚酰亚胺薄膜以上的高性能聚酰亚胺薄膜市场。LCP天线多个环节技术壁垒较高，目前电子级LCP材料主要被日美企业垄断，主要生产企业包括日本的村田制作所、可乐丽、Gore-Tex、宝理塑料和美国杜邦公司，国内企业主要有沃特股份。但是，LCP和MPI在5G高频情况下(毫米波时)，由于介电损耗提高，也是无法满足终端需求的。这就需要开发适用于5G高频的低介电常数和低介电损耗的新材料。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种具有低介电常数和低介电损耗且粘接性能高的复合膜及其制备方法。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种复合膜的制备方法，包括以下步骤：

对低k材料基膜进行表面处理；

将超低介电常数材料涂覆在所述低k材料基膜一侧面上以形成超k材料涂层；

将导电材料沉积在所述超k材料涂层远离所述低k材料基膜的一侧面上以形成导电层，得到预备复合膜；

对所述预备复合膜进行热处理及固化处理，得到复合膜。

在其中一种实施方式，所述低k材料基膜的材料包括PTFE、PSF、PPO、 PPS、PEEK、PEK、PEKK、PEKEKK、PEEKK、PI和MPI其中至少一种。

在其中一种实施方式，所述超低介电常数材料包括Nanoglass、HSQ、SiLK、 BCB、FOx、MSQ、HOSP、Black Diamond、Coral和Aurora其中至少一种。

在其中一种实施方式，所述导电材料包括液态金属、纳米金属浆料、金属靶材、石墨烯和导电高分子其中至少一种。