[发明专利]动态电压供应电路及包括其的非易失性存储器件

说明书

本申请公开了一种动态电压供应电路及包括其的非易失性存储器件。非易失性存储器件的动态电压供应电路包括电压放大/输出电路和动态电压输出电路。电压放大/输出电路接收第一时钟信号和第二时钟信号，以在第一时钟信号具有“低”电平时生成大于供电电压的动态供电电压。动态电压输出电路在第一时钟信号具有“低”电平时输出动态供电电压，而在第一时钟信号具有“高”电平时输出接地电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年4月5日提交的申请号为10-2019-0040377的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例总体而言涉及非易失性存储器件，更具体而言，涉及动态电压供应电路及包括该动态电压供应电路的非易失性存储器件。

背景技术

半导体存储器件通常根据其数据易失性而被分类为随机存取存储(RAM)器件或只读存储(ROM)器件。RAM器件是易失性存储器件，在电源中断时会丢失其储存的数据。相反，ROM器件是非易失性存储器件，即使它们的电源中断，也保留其储存的数据。根据数据输入方法，即数据编程方法，ROM器件也可以被分类为可编程ROM(PROM)器件或掩模ROM器件。PROM器件可以在没有编程的情况下制造和销售，并且可以在制造后由客户(即，用户)直接编程。在掩模ROM器件的制造期间，可以利用基于用户请求的数据而制造的注入掩模来对掩模ROM器件进行编程。PROM器件可以包括：一次性PROM(OTPROM)器件、可擦除PROM(EPROM)器件和电可擦除PROM(EEPROM)器件。一旦对OTPROM器件进行了编程，就无法更改已编程OTPROM器件中的数据。

NMOS晶体管或PMOS晶体管可以用作非易失性存储器件(例如，OTPROM器件)的单元晶体管。当PMOS晶体管用作非易失性存储器件的单元晶体管时，PMOS单元晶体管可以具有关断状态作为其初始状态，并且可以具有导通状态作为其编程状态。可以通过感测连接至选自PMOS单元晶体管中的任何一个的位线的电压电平来执行PMOS单元晶体管的读取操作。在这种情况下，可以通过耦接在供电电压线与位线之间的负载电阻器的电阻值与选中的PMOS单元晶体管的等效电阻值之比来确定位线的电压电平。随着电子系统按比例缩小并分类为更多种类的系统，需要更多的供电电压电平来操作在电子系统中使用的非易失性存储器件。具体地，如果非易失性存储器件被嵌入在便携式器件中，则根据便携式器件的电池的功耗，可以通过减小供电电压的大小来限制非易失性存储器件的工作范围。

发明内容

根据实施例，一种动态电压供应电路包括电压放大/输出电路和动态电压输出电路。电压放大/输出电路接收第一时钟信号和第二时钟信号，以在第一时钟信号具有“低”电平时生成大于供电电压的动态供电电压。动态电压输出电路在第一时钟信号具有“低”电平时输出动态供电电压，而在第一时钟信号具有“高”电平时输出接地电压。

根据另一个实施例，一种非易失性存储器件包括动态电压供应电路、非易失性存储单元和感测放大电路。动态电压供应电路被配置为包括电压放大/输出电路和动态电压输出电路。电压放大/输出电路接收第一时钟信号和第二时钟信号，以在第一时钟信号具有“低”电平时生成大于供电电压的动态供电电压。动态电压输出电路在第一时钟信号具有“低”电平时输出动态供电电压，而在第一时钟信号具有“高”电平时输出接地电压。非易失性存储单元耦接在连接至具有动态供电电压的动态电压供应线的位线与接地电压端子之间。感测放大电路响应于在位线处诱发的位线电压而选择性地输出动态供电电压和接地电压中的任意一个。