[发明专利]沉浸式显示装置及其制造方法有效
申请号: | 202010119358.1 | 申请日: | 2020-02-26 |
公开(公告)号: | CN111627957B | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 陈慧修;柳宜政;魏丽真;江彦志 | 申请(专利权)人: | 创王光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 中国台湾新竹县30*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 沉浸 显示装置 及其 制造 方法 | ||
揭示一种沉浸式显示装置及其制造方法。沉浸式显示装置包括衬底、像素阵列以及眼球追踪器。像素阵列设置在衬底上,其中像素阵列于水平方向具有第一解析度,像素阵列于垂直方向具有第二解析度,第一解析度与人眼的可视水平视角之一比值实质上大于或等于60,第二解析度与人眼的可视垂直视角之一比值实质上大于或等于60。眼球追踪器设置于衬底的一侧,其中眼球追踪器用于追踪人眼位置。
技术领域
[优先权主张与交互参照]
本揭示内容主张2019年2月27日提出的美国临时案No.62/811,279和2020年1月21日提出的美国申请案No.16/748,283的优先权,在此将其全文纳入作为参照。
本揭示内容是关于一种沉浸式显示装置及其制造方法;具体来说,是关于制备有机发光装置的方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic light-emitting diodes,OLED)因其在延迟、对比率、与响应时间等方面的优点,已广泛运用于显示器中。然而,受限于既有彩色图样化技术,高解析度OLED显示装置在三维(3D)影像应用上仍非常有限。在制程方面的相关问题包括产率低、制造成本高以及显示品质不佳等。因此,OLED产业正积极寻找解决上述问题的技术方案。
发明内容
一种制备电致发光装置的方法,包括:提供衬底,其包括第一子像素区及第二子像素区,分别用以显示第一色彩的影像以及第二色彩的影像;在衬底上形成第一发光层,以覆盖第一子像素区及第二子像素区的至少一部分;在衬底上形成第一牺牲层,其中第一牺牲层覆盖第一发光层位于第一子像素区上方的一部分,且第一牺牲层包括第一开孔,其暴露出第一发光层位于第二子像素区上方的一部分;移除第一发光层位于第二子像素区上方且透过第一牺牲层的第一开孔而露出的部分;形成第二发光层于第一牺牲层上方并透过第一牺牲层的第一开孔而形成于第二子像素区上方;以及利用剥除制程同时移除第一牺牲层以及第二发光层位于第一牺牲层上方的一部分。
在某些实施方式中,所述衬底还包括第三子像素区,其是用以显示第三色彩的影像。在某些实施方式中,藉由喷墨打印形成第一发光层,且所述第一发光层覆盖第一子像素区、第二子像素区及第三子像素区。在某些实施方式中,透过共用金属遮罩来形成第一发光层,所述共用金属遮罩具有和第一子像素区、第二子像素区及第三子像素区对齐的孔洞,第一发光层覆盖第一子像素区、第二子像素区及第三子像素区,且第一牺牲层还覆盖第三子像素区。
在某些实施方式中,所述方法还包括在衬底上形成第二牺牲层,其中第二牺牲层覆盖第一发光层位于第一子像素区上方的部分,第二牺牲层还覆盖位于第二子像素区上方的第二发光层,且第二牺牲层包括第二开孔,其露出第一发光层位于第三子像素区上方的一部份;移除第一发光层位于第三子像素区上方并透过第二牺牲层的第二开孔露出的部分;在第二牺牲层上方形成第三发光层,并透过第二牺牲层的第二开孔形成于第三子像素区上;以及利用剥除制程同时移除第二牺牲层及位于第二牺牲层上方的第三发光层的一部分。
在某些实施方式中,所述衬底还包括第三子像素区,其是用以显示第三色彩的影像。在某些实施方式中,透过第一精细金属遮罩来形成第一发光层,所述第一精细金属遮罩具有与第一子像素区及第二子像素区之一部分对齐的孔洞,且第一发光层覆盖第一子像素区及第二子像素区的一部分。
在某些实施方式中,上述方法还包括:在形成第一牺牲层前,透过第二精细金属遮罩在衬底上形成第三发光层,以覆盖第三子像素区及第二子像素区的另一部分;以及在形成第一牺牲层后,在移除第一发光层的同时,移除第三发光层位于第二子像素区上方且透过第一牺牲层的第一开孔露出的一部分。
在某些实施方式中,所述方法还包括:在形成第一发光层前,形成一第二牺牲层于衬底上,其中第二牺牲层覆盖第一子像素区及第二子像素区,且第二牺牲层包括第二开孔,其暴露出第三子像素区;形成第三发光层于第二牺牲层上方并透过第二牺牲层的第二开孔而形成于第三子像素区上方;以及利用剥除制程同时移除第二牺牲层及第三发光层位于第二牺牲层上方的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的