[发明专利]场效应晶体管和半导体器件

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

衬底，所述衬底包括主表面和背表面；

在所述主表面上的半导体区，所述半导体区包括在第一方向上并排布置的第一非有源区、有源区和第二非有源区；

在所述有源区上的栅电极、源电极和漏电极；

栅极焊盘，所述栅极焊盘在所述第一非有源区上并且电连接到所述栅电极；

栅极保护部，所述栅极保护部在所述半导体区上并且与所述半导体区接触，所述栅极保护部与所述栅极焊盘分开并且位于所述栅极焊盘和在所述第一方向上并排布置的所述半导体区的一对边缘的所述第一非有源区侧的边缘之间；

漏极焊盘，所述漏极焊盘在所述第二非有源区上并且电连接到所述漏电极；

漏极保护部，所述漏极保护部在所述半导体区上并且与所述半导体区接触，所述漏极保护部与所述漏极焊盘分开并且位于所述漏极焊盘与所述半导体区的所述一对边缘的所述第二非有源区侧的边缘之间；以及

金属膜，所述金属膜在所述背表面上并且被电连接到所述栅极保护部，

其中，所述漏极保护部相对于所述金属膜、所述栅电极、所述源电极和所述漏电极处于非导电状态。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，还包括导线，所述导线穿透所述衬底和所述半导体区，

其中，所述源电极经由所述导线电连接到所述金属膜，并且

其中，所述栅极保护部被电连接到所述源电极。

3.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，还包括源极焊盘，所述源极焊盘被电连接到所述源电极，所述源极焊盘与所述栅极焊盘并排布置在所述第一非有源区侧，并且

其中，所述栅极保护部从所述源极焊盘沿着所述第一非有源区侧的所述边缘延伸。

4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的场效应晶体管，还包括绝缘膜，所述绝缘膜在所述漏极焊盘和所述栅极焊盘上具有开口，

其中，所述栅极保护部和所述漏极保护部被所述绝缘膜覆盖。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的场效应晶体管，

其中，所述栅极保护部由金属制成。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的场效应晶体管，

其中，所述漏极保护部由金属制成。

7.一种半导体器件，包括：

根据权利要求1至6中的任意一项所述的场效应晶体管；

基底构件，所述基底构件具有金属表面并且用于安装所述场效应晶体管；以及

导电键合材料，所述导电键合材料被插入在所述场效应晶体管的所述金属膜与所述基底构件的表面之间，所述导电键合材料包括Ag、Au和Cu中的至少一种。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括所述场效应晶体管被非气密地容纳在其中的封装。

9.一种场效应晶体管，包括：

衬底，所述衬底包括主表面和背表面；

在所述主表面上的半导体区，所述半导体区包括在第一方向上并排布置的第一边缘、第一非有源区、有源区、第二非有源区和第二边缘；

在所述有源区上的栅电极、源电极和漏电极；

栅极焊盘，所述栅极焊盘在所述第一非有源区上并且电连接到所述栅电极；

栅极保护部，所述栅极保护部在所述半导体区上并且与所述半导体区接触，所述栅极保护部与所述栅极焊盘分开并且位于所述第一边缘和所述栅极焊盘之间；

漏极焊盘，所述漏极焊盘在所述第二非有源区上并且电连接到所述漏电极；

漏极保护部，所述漏极保护部在所述半导体区上并且与所述半导体区接触，所述漏极保护部与所述漏极焊盘分开并且位于所述第二边缘和所述漏极焊盘之间；以及

金属膜，所述金属膜在所述背表面上并且被电连接到所述栅极保护部，

其中，所述漏极保护部与所述金属膜、所述栅电极、所述源电极和所述漏电极电绝缘。