[发明专利]场效应晶体管和半导体器件

说明书

本发明涉及一种场效应晶体管和半导体器件。场效应晶体管包括：半导体区，其包括在第一方向上并排布置的第一非有源区、有源区和第二非有源区；在有源区上的栅电极、源电极和漏电极；在第一非有源区上的栅极焊盘；栅极保护部，其在半导体区上并与半导体区接触，该栅极保护部与栅极焊盘分开并且位于半导体区的第一非有源区侧上的边缘与栅极焊盘之间；在第二非有源区上的漏极焊盘；漏极保护部，其在半导体区上并且与半导体区相接触，该漏极保护部与漏极焊盘分开并且位于半导体区的第二非有源区侧上的边缘与漏极焊盘之间；以及金属膜，该金属膜被电连接到栅极保护部。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年2月28日提交的日本专利申请No.JP2019-035726的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及一种场效应晶体管和半导体器件。

背景技术

日本未经审查的专利公开No.2010-177550描述与半导体器件有关的技术。此文献中公开的半导体器件包括半导体芯片；两个电极焊盘，被布置在半导体芯片上；以及导电保护环，被布置在两个电极焊盘与半导体芯片上的外围之间。通过消除保护环的一部分，将保护环划分为彼此绝缘的多个单元区。

发明内容

根据一个实施例，提供一种场效应晶体管和半导体器件，包括：衬底，该衬底包括主表面和背表面；主表面上的半导体区，该半导体区包括在第一方向上并排布置的第一非有源区、有源区和第二非有源区；有源区上的栅电极、源电极和漏电极；栅极焊盘，该栅极焊盘在第一非有源区上并电连接到栅电极；栅极保护部，该栅极保护部在半导体区上并与半导体区接触，该栅极保护部与栅极焊盘分开并且位于栅极焊盘和在第一方向上并排布置的半导体区的一对边缘的第一非有源区侧上的边缘之间；漏极焊盘，该漏极焊盘在第二非有源区上并电连接到漏电极；漏极保护部，该漏极保护部在半导体区上并与半导体区接触，该漏极保护部与漏极焊盘分开并且位于漏极焊盘与半导体区的一对边缘的第二非有源区侧上的边缘之间；以及金属膜，该金属膜在背表面上并且电连接到栅极保护部。漏极保护部相对于金属膜、栅电极、源电极和漏电极处于非导电状态。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的场效应晶体管(以下，简称为晶体管)的配置的平面图。

图2是沿着图1中的线II-II截取的截面图；

图3是沿着图1中的线III-III截取的截面图；

图4是沿着图1的线IV-IV截取的截面图；

图5A是示出根据第一实施例的制造方法的典型步骤的横截面图，并且示出对应于图1中的线II-II的横截面；

图5B是示出根据第一实施例的制造方法的典型步骤的横截面图，并且示出对应于图1中的线III-III的横截面；

图5C是示出根据第一实施例的制造方法的典型步骤的横截面图，并且示出对应于图1中的线IV-IV的横截面；

图6A是示出根据第一实施例的制造方法的典型步骤的横截面图，并且示出与图1中的线II-II相对应的横截面；

图6B是示出根据第一实施例的制造方法的典型步骤的横截面图，并且示出对应于图1中的线III-III的横截面；

图6C是示出根据第一实施例的制造方法的典型步骤的横截面图，并且示出与图1中的线IV-IV对应的横截面；

图7A是示出根据第一实施例的制造方法的典型步骤的横截面图，并且示出对应于图1中的线II-II的横截面；

图7B是示出根据第一实施例的制造方法的典型步骤的横截面图，并且示出对应于图1中的线III-III的横截面；