[发明专利]一种封装芯片及基于封装芯片的信号传输方法

说明书

本发明实施例提供一种封装芯片，封装芯片包括封装结构、重布线结构和载体，封装结构包括第一芯片和与第一芯片相邻的第二芯片；重布线结构用于电连接第一芯片与载体，并用于电连接第二芯片与载体，重布线结构包括由绝缘材料构成的主体和焊接于主体的下表面的凹凸焊接阵列；主体的内部设有重布线金属线组和具有弯曲或弯折设计的互连金属线组；载体用于固定重布线结构，载体的下表面设有焊接球或焊盘或连接器；重布线结构的主体的上表面贴合第一芯片和第二芯片的下表面，重布线结构的凹凸焊接阵列焊接于载体的上表面。本发明实施例能够在保证信号通路较短的情况下，提高传输的可靠性。

技术领域

本发明涉及电子封装技术领域，具体涉及一种封装芯片及基于封装芯片的信号传输方法。

背景技术

随着消费类电子产品的需求驱动，如智能手机、平板电脑等电子产品的封装面向薄、小及低成本的方向发展，这样便对半导体工艺以及芯片提出更高的要求，要求一个封装芯片中能够装载越来越多的集成电路。基于产业和工业制造商的需求，应用于封装芯片中的集成电路被搭载在各种各样的基础芯片(例如，裸芯片等)中。随着工艺的发展和出于更高功能的需求，将两个或两个以上裸芯片封装在一起的封装方式越来越受到业界的重视。当前针对高端产品采用2.5D扇出封装(Fan-out Package，FOP)，2.5D FOP即由扇出重布线层(Re Distribution Layer，RDL)实现高密度互连串连起不同功能及大小的裸芯片。

扇出封装是近年来推出的一种新的先进封装方法，其最初结合了晶圆级封装制造技术与单颗裸芯片的传统封装优势进行批量制造，从而大幅度降低了电子产品的封装成本。典型的扇出封装工艺流程，首先将裸芯片贴装在晶圆载体上，塑封后将晶圆载体拆键合，其后制作重布线层(Re Distribution Layer，RDL)并植球，最后切片做可靠性测试及产品包封。

封装在一个封装芯片中的多个裸芯片并不是独立工作的，不同的裸芯片之间存在数据交互、信号传递的需求。2.5D扇出封装结构为实现相邻两个裸芯片之间的信号传递，两个裸芯片之间的互连布层线必须跨越两个裸芯片之间的铸模(Molding Compound)扇出区。目前，该互连布线层设计在跨越两个裸芯片的部分为最短距离直线的设计，可参见图3，为现有技术中的裸芯片的管脚通过互连金属模块进行互连的俯视图但是，2.5D扇出封装工艺中采用了不同热膨胀系数的封装材料，如塑封料、芯片和载体等。若所采用的材料间热膨胀系数不匹配，因温度循环产生的应力无法延伸，会引起相邻两个裸芯片之间的互连布层线几毫米、几十毫米的弯曲，甚至断裂，影响相邻两个裸芯片传输的可靠性。

发明内容

本发明实施例提供一种封装芯片及基于封装芯片的信号传输方法，能够在保证信号通路较短的情况下，提高相邻两个芯片之间传输的可靠性。

本发明实施例第一方面提供一种封装芯片，所述封装芯片包括封装结构、重布线结构和载体；

所述封装结构包括第一芯片和与所述第一芯片相邻的第二芯片；

所述重布线结构用于电连接所述第一芯片与所述载体，并用于电连接所述第二芯片与所述载体，所述重布线结构包括由绝缘材料构成的主体和焊接于所述主体的下表面的凹凸焊接阵列；所述主体的内部设有重布线金属线组，所述重布线金属线组与所述第一芯片、所述第二芯片电连接，所述重布线金属线组通过所述凹凸焊接阵列与所述载体电连接；所述主体的内部设有具有弯曲设计的互连金属线组，所述互连金属线组与所述第一芯片、所述第二芯片电连接；

所述载体用于固定所述重布线结构，所述载体的下表面设有焊接球或焊盘或连接器；

所述重布线结构的主体的上表面贴合所述第一芯片和所述第二芯片的下表面，所述重布线结构的凹凸焊接阵列焊接于所述载体的上表面。

本发明实施例第一方面，通过互连金属线组连接相邻的芯片可以保证信号通路较短，采用弯曲设计的互连金属线组可以避免互连金属线组因温度循环而产生应力时的无法延伸而断裂，提高相邻两个功芯片之间的传输可靠性。