[发明专利]一种制作异质结太阳能电池的刻蚀装置

说明书

本发明公开了一种制作异质结太阳能电池的刻蚀装置，包括工艺槽，其内盛装化学溶液；带液滚轮，并排安装于所述工艺槽；槽板花篮，置于所述带液滚轮的顶部；硅片，并排插入该槽板花篮。本发明具有能有效增大太阳能电池片的有效面积，以及提高太阳能电池的平均效率等特点。

技术领域

本发明公开了一种制作异质结太阳能电池的刻蚀装置。

背景技术

太阳能电池也可以称之为光伏电池，其是一种利用光伏效应将太阳光辐射直接转换为电能的新型发电技术，因其具有资源充足、清洁、安全、寿命长等优点，被认为是最有前途的可再生的能源技术之一。

晶体硅太阳能电池包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和高效晶体硅太阳能电池等。单晶硅太阳能电池的转换效率很高，技术较为成熟，但是由于其需要以高纯的单晶硅棒为原料，使得电池的制造成本较大，难以大规模推广应用。

多晶硅太阳能电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，其在制造成本上，比单晶硅太阳能电池低。然而，多晶硅太阳能电池的光电转换效率相比单晶硅太阳能电池则较低，以及多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。

高效晶体硅太阳能电池包括：HIT(Hetero-junction with Intrinsic Thin layer，非晶硅/晶硅异质结)电池、IBC(Interdigitated back contact，全背电极接触晶硅)电池等；其中，HIT电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池，其结合单晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池的优势。该电池具有制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好等特点，是一种低价高效电池，因此，HIT太阳能电池成为目前主流的几种高效太阳能电池技术之一。

非晶硅/晶硅异质结太阳能电池的基本结构，包含晶硅、本征非晶硅层、n型非晶硅层、p型非晶硅层、正面透明导电膜层、背面透明导电膜层、正面金属电极、背面金属电极。制作异质结太阳能电池片的工序通常包括：以n型(以n型为例)单晶硅片c-Si为衬底，清洗制绒的n型c-Si正面,依次沉积厚度为5～10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si:H)、p型非晶薄膜(p-a-Si:H)，从而形成p-n异质结。在硅片背面依次沉积厚度为5～10nm的i-a-Si:H薄膜、n型非晶硅薄膜(n-a-Si:H)形成背表面场。在掺杂a-Si:H薄膜的两侧，再沉积透明导电膜层(TCO)，最后通过丝网印刷技术在两侧的顶层形成金属电极。

在沉积透明导电膜层(TCO)工序时，需要避免正面透明导电膜层和背面透明导电膜层短路。目前采用的工装为：硅片放在中空工装上，硅片背面的边缘一周和工装承载硅片部位接触，工装承载硅片部位宽度约0.7～0.9mm，硅片背面的边缘和工装接触部分不会沉积透明导电膜。太阳能电池片电池工作时未沉积透明导电膜这部分硅片内的电流不能有效传递到背面金属电极，减少了太阳能电池片的工作电流和转换效率。

发明内容

本发明的目的是针对现有技术缺陷，而提供一种制作异质结太阳能电池的刻蚀装置。

为了实现上述本发明的目的，采用的技术方案：

一种制作异质结太阳能电池的刻蚀装置，包括工艺槽，其内盛装化学溶液；带液滚轮，并排安装于所述工艺槽；槽板花篮，置于所述带液滚轮的顶部；硅片，并排插入该槽板花篮。

工作原理：

工艺槽内盛装化学溶液，槽板花篮放置在带液滚轮上，硅片一片一片插在槽板花篮的槽中，槽板花篮对硅片没有底部支撑，硅片的底边端面和带液滚轮接触，带液滚轮向前滚动时，槽板花篮和硅片一起向前运动，带液滚轮携带化学溶液与硅片边缘端部滚动接触。

进一步地，所述化学溶液浸泡带液滚轮的深度为1/3～4/5倍的带液滚轮的外径。

进一步地，所述带液滚轮的圆周表面设有凹和/或凸面。

进一步地，所述凹面为直型槽或螺纹槽。

进一步地，所述直型槽或螺纹槽的槽宽度 0.1～3mm，槽深度0.1～3mm。