[发明专利]S波段GaN MMIC低噪声放大器

权利要求书

1.一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，其特征在于，所述S波段GaN MMIC低噪声放大器包括第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络、第二级漏极偏置网络、输入匹配网络、级间匹配网络、输出级匹配网络、第一级漏极电阻、第二级栅极电阻和第二级漏极电阻，所述第一级场效应晶体管放大器、所述输入匹配网络和所述第一级栅极偏置网络依次连接，所述第一级场效应晶体管放大器、所述第一级漏极电阻和所述第一级漏极偏置网络依次连接，所述第一级场效应晶体管放大器与所述级间匹配网络连接，所述级间匹配网络与所述第二级栅极电阻和所述第二级场效应晶体管放大器连接，所述第二级场效应晶体管放大器与所述输出级匹配网络连接，所述输出级匹配网络与所述第二级漏极偏置网络和所述第二级漏极电阻连接，所述第二级栅极电阻与所述第二级栅极偏置网络连接。

2.如权利要求1所述的一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，其特征在于，所述输入匹配网络包括微带线TL9、电感L6、微带线TL8、接口Tee2、微带线TL7、电容C2和微带线TL6，所述微带线TL9的一端与所述第一级场效应晶体管放大器连接，所述微带线TL9的另一端和所述电感L6、所述微带线TL8、所述接口Tee2、所述微带线TL7、所述电容C2和所述微带线TL6的一端依次连接，所述微带线TL6的另一端与输入端口连接。

3.如权利要求2所述的一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，其特征在于，所述第一级栅极偏置网络包括微带线TL3、电感L1、微带线TL2、接口Tee1、微带线TL4、电容C1、微带线TL5和微带线TL1，所述微带线TL3的一端与所述接口Tee2连接，所述微带线TL3的另一端与所述电感L1、所述微带线TL2和所述接口Tee1依次连接，所述接口Tee1分别和所述微带线TL2、所述微带线TL4和所述微带线TL1连接，所述微带线TL4、所述电容C1和所述微带线TL5依次连接。

4.如权利要求1所述的一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，其特征在于，所述级间匹配网络包括微带线TL10、接口Tee3、微带线TL19、电容C4、微带线TL20、接口Tee5、微带线TL22、微带线TL11、微带线TL12、微带线TL13和微带线TL21，所述微带线TL10的一端与所述第一级场效应晶体管放大器连接，所述微带线TL10的另一端与所述接口Tee3、所述微带线TL19、所述电容C4、所述微带线TL20、所述接口Tee5和所述微带线TL22的一端依次连接，所述微带线TL22的另一端与所述第二级场效应晶体管放大器连接，所述微带线TL11的一端与所述接口Tee3连接，所述微带线TL11的另一端与所述微带线TL12的一端连接，所述微带线TL12的另一端与所述第一级漏极电阻和所述微带线TL13依次连接，所述微带线TL21分别和所述接口Tee5和所述第二级栅极电阻连接。

5.如权利要求4所述的一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，其特征在于所述第一级漏极偏置网络包括微带线TL14、电感L2、微带线TL15、接口Tee4、微带线TL17、电容C3、微带线TL18和微带线TL16，所述微带线TL14的一端与所述微带线TL13连接，所述微带线TL14的另一端与所述电感L2、所述微带线TL15和所述接口Tee4依次连接，所述接口Tee4分别和所述微带线TL15、所述微带线TL17和所述微带线TL16连接，所述微带线TL17、所述电容C3和所述微带线TL18依次连接。

6.如权利要求4所述的一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，其特征在于所述第二级栅极偏置网络包括微带线TL23、电感L3、微带线TL24、接口Tee7、微带线TL25、电容C5、微带线TL27和微带线TL26，所述微带线TL23的一端与所述第二级栅极电阻连接，所述微带线TL23的另一端与所述电感L3和所述微带线TL24的一端连接，所述微带线TL24的另一端与所述接口Tee7连接，所述接口Tee7分别与所述微带线TL25和所述微带线TL26连接，所述微带线TL25、所述电容C5和微带线TL27依次连接。