[发明专利]S波段GaN MMIC低噪声放大器

说明书

本发明公开了一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，电路结构包括：第一级场效应晶体管放大器、输入匹配网络、第一级栅极偏置网络、第一级漏极电阻、第一级漏极偏置网络、级间匹配网络、第二级栅极电阻、第二级场效应晶体管放大器、输出级匹配网络、第二级漏极偏置网络、第二级漏极电阻和第二级栅极偏置网络。通过电阻形成的负反馈网络加强电路稳定性的同时调节了电路增益，提高了低噪声放大器的线性度。可实现低噪声放大器射频输入信号大、噪声系数低、工作频带内增益平坦度良好的性能。

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种S波段GaN MMIC低噪声放大器。

背景技术

随着无线通信的快速发展，S波段在信号接收机中的应用越来越广泛，对于低噪声放大器的研究也逐渐成为热点。低噪声放大器(LNA，Low-noise Amplifier)广泛应用于通信系统、雷达探测及电子对抗等方面，通信技术的提高对放大器的频带、增益、噪声等相关特性要求更严格。单片微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit,MMIC)具有小型紧凑化、稳定性好、抗干扰能力强等特点，S波段GaN MMIC低噪声放大器用于射频前端，噪声系数和增益对于整个电路系统具有很大影响，线性度直接影响接收系统的灵敏度与动态范围。现有S波段GaN MMIC低噪声放大器具有射频输入信号小、噪声系数高、频带内增益平坦度不够等问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，实现低噪声放大器射频输入信号大、噪声系数低并提高频带内增益平坦度的性能。

为实现上述目的，本发明提供了一种S波段GaN MMIC低噪声放大器，所述S波段GaNMMIC低噪声放大器包括第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络、第二级漏极偏置网络、输入匹配网络、级间匹配网络、输出级匹配网络、第一级漏极电阻、第二级栅极电阻和第二级漏极电阻，所述第一级场效应晶体管放大器、所述输入匹配网络和所述第一级栅极偏置网络依次连接，所述第一级场效应晶体管放大器、所述第一级漏极电阻和所述第一级漏极偏置网络依次连接，所述第一级场效应晶体管放大器与所述级间匹配网络连接，所述级间匹配网络与所述第二级栅极电阻和所述第二级场效应晶体管放大器连接，所述第二级场效应晶体管放大器与所述输出级匹配网络连接，所述输出级匹配网络与所述第二级漏极偏置网络和所述第二级漏极电阻连接，所述第二级栅极电阻与所述第二级栅极偏置网络连接。

其中，所述输入匹配网络包括微带线TL9、电感L6、微带线TL8、接口Tee2、微带线TL7、电容C2和微带线TL6，所述微带线TL9的一端与所述第一级场效应晶体管放大器连接，所述微带线TL9的另一端和所述电感L6、所述微带线TL8、所述接口Tee2、所述微带线TL7、所述电容C2和所述微带线TL6的一端依次连接，所述微带线TL6的另一端与输入端口连接。

其中，所述第一级栅极偏置网络包括微带线TL3、电感L1、微带线TL2、接口Tee1、微带线TL4、电容C1、微带线TL5和微带线TL1，所述微带线TL3的一端与所述接口Tee2连接，所述微带线TL3的另一端与所述电感L1、所述微带线TL2和所述接口Tee1依次连接，所述接口Tee1分别和所述微带线TL2、所述微带线TL4和所述微带线TL1连接，所述微带线TL4、所述电容C1和所述微带线TL5依次连接。