[发明专利]光电探测面板

权利要求书

1.一种光电探测面板，其特征在于，所述光电探测面板包括低压电极层、高压电极层和非晶硅层；所述低压电极层和所述高压电极层在水平方向间隔设置，所述非晶硅层覆盖于所述低压电极层和所述高压电极层的上方；

所述非晶硅层沿竖直方向包括导电部和绝缘部，所述导电部配置为在光照时可产生光载流子，所述非晶硅层的所述绝缘部填充于所述低压电极层和所述高压电极层的间隙中，并且覆盖于所述低压电极层和所述高压电极层的上表面。

2.如权利要求1所述的光电探测面板，其特征在于，所述光电探测面板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖于所述低压电极层和所述高压电极层的上方，并且，所述栅极绝缘层的至少部分填充于所述低压电极层和所述高压电极层的间隙中；

所述非晶硅层设置于所述栅极绝缘层的上方。

3.如权利要求1所述的光电探测面板，其特征在于，所述光电探测面板还包括中和电极层，所述中和电极层的电压为负压或者所述中和电极层接地；

所述低压电极层沿垂直方向延伸形成低压区域，所述中和电极层远离所述低压区域。

4.如权利要求3所述的光电探测面板，其特征在于，所述光电探测面板包括第一缓冲层，所述低压电极层和所述高压电极层均设置于所述第一缓冲层的上方；

所述中和电极层设置于所述第一缓冲层的内部。

5.如权利要求3所述的光电探测面板，其特征在于，所述光电探测面板包括保护层，所述保护层设置于非晶硅层的上方；

所述中和电极层设置于所述保护层的内部。

6.如权利要求5所述的光电探测面板，其特征在于，所述中和电极层的材料为透明材料。

7.如权利要求1所述的光电探测面板，其特征在于，所述光电探测面板还包括储存层；

所述低压电极层沿垂直方向延伸形成负压区域，所述储存层的至少部分位于所述低压区域，并且，所述储存层设置于所述低压电极层和所述高压电极层的下方。

8.如权利要求1所述的光电探测面板，其特征在于，所述低压电极层的表面设置有通槽，所述桶槽设有开口；

所述高压电极层具有凸起部，所述凸起部通过所述开口进入所述通槽；

所述凸起部的表面和所述通槽的壁面之间存在间隙，所述间隙中填充有所述非晶硅层的至少部分。

9.如权利要求1-8中任意一项所述的光电探测面板，其特征在于，所述低压电极层和/或所述高压电极层的厚度大于等于100纳米，并且，小于等于200纳米。

10.如权利要求1-8中任意一项所述的光电探测面板，其特征在于，将所述非晶硅层的厚度作为第一数值，所述第一数值大于等于450纳米，并且，小于等于600纳米；和/或，

将位于所述低压电极层和/或所述高压电极层的上方的部分所述绝缘部的厚度作为第二数值，所述第二数值大于等于10纳米，并且，小于等于20纳米。