[发明专利]光电探测面板

说明书

本申请公开了一种光电探测面板，所述光电探测面板包括低压电极层、高压电极层和非晶硅层；所述非晶硅层沿竖直方向包括导电部和绝缘部，所述导电部配置为在光照时可产生光载流子，所述非晶硅层的所述绝缘部填充于所述低压电极层和所述高压电极层的间隙中，并且覆盖于所述低压电极层和所述高压电极层的上表面。通过上述设置，非晶硅层能够较好的覆盖低压电极层和高压电极层，保证信号传输的稳定性，同时，非晶硅层的均匀性较好，可避免光电探测面板出现显示亮度不均匀的问题。

技术领域

本申请涉及光电检测领域，特别涉及一种光电探测面板。

背景技术

叉指电极结构的光电探测面板的制备工艺简单，具有成本低，与薄膜晶体管及场效应晶体管等制作工艺兼容，易集成，响应速度快，暗电流小，填充率高等诸多优势，在医疗成像及工业检测领域占据举足轻重的地位。

光电探测面板一般采用沉积金属做叉指电极，例如：钼或者铝，并在叉指电极上覆盖PI层，其材料为聚酰亚胺薄膜(PolyimideFilm，简称PI)。然而，光电探测面板出现了信号传输不稳定、光电探测面板出现显示亮度不均匀的问题。

发明内容

本申请提供了一种光电探测面板，其可尽可能提升光电探测面板的检测性能。

本申请提供了一种光电探测面板，所述光电探测面板包括低压电极层、高压电极层和非晶硅层；所述低压电极层和所述高压电极层在水平方向间隔设置，所述非晶硅层覆盖于所述低压电极层和所述高压电极层的上方；

所述非晶硅层沿竖直方向包括导电部和绝缘部，所述导电部配置为在光照时可产生光载流子，所述非晶硅层的所述绝缘部填充于所述低压电极层和所述高压电极层的间隙中，并且覆盖于所述低压电极层和所述高压电极层的上表面。

进一步的，所述光电探测面板还包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖于所述低压电极层和所述高压电极层的上方，并且，所述栅极绝缘层的至少部分填充于所述低压电极层和所述高压电极层的间隙中；

所述非晶硅层设置于所述栅极绝缘层的上方。

进一步的，所述光电探测面板还包括中和电极层，所述中和电极层的电压为负压或者所述中和电极层接地；

所述低压电极层沿垂直方向延伸形成低压区域，所述中和电极层远离所述低压区域。

进一步的，所述光电探测面板包括第一缓冲层，所述低压电极层和所述高压电极层均设置于所述第一缓冲层的上方；

所述中和电极层设置于所述第一缓冲层的内部。

进一步的，所述光电探测面板包括保护层，所述保护层设置于非晶硅层的上方；

所述中和电极层设置于所述保护层的内部。

进一步的，所述中和电极层的材料为透明材料。

进一步的，所述光电探测面板还包括储存层；

所述低压电极层沿垂直方向延伸形成负压区域，所述储存层的至少部分位于所述低压区域，并且，所述储存层设置于所述低压电极层和所述高压电极层的下方。

进一步的，所述低压电极层的表面设置有通槽，所述桶槽设有开口；

所述高压电极层具有凸起部，所述凸起部通过所述开口进入所述通槽；

所述凸起部的表面和所述通槽的壁面之间存在间隙，所述间隙中填充有所述非晶硅层的至少部分。

进一步的，所述低压电极层和/或所述高压电极层的厚度大于等于100纳米，并且，小于等于200纳米。

进一步的，将所述非晶硅层的厚度作为第一数值，所述第一数值大于等于450纳米，并且，小于等于600纳米；和/或，