[发明专利]存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于具备：

第1电阻变化存储组件，能够根据写入电流设定第1低电阻状态或第1高电阻状态；

第1晶体管，具有第1栅极、第1源极及第1漏极，在第1写入期间，流动与流动到所述第1电阻变化存储组件的电流共通的电流；

电压保持部，在所述第1写入期间之后保持施加于所述第1栅极的第1电压；以及

第2晶体管，具有第2栅极、第2源极及第2漏极，在所述第1写入期间之后的第2写入期间，将由所述电压保持部保持的所述第1电压施加于所述第2栅极，而使电流流动到所述第1电阻变化存储组件。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：在所述第1写入期间，所述第1电阻变化存储组件维持于所述第1低电阻状态，

在所述第1写入期间流动到所述第1晶体管及所述第1电阻变化存储组件的电流的大小对应于能够将所述第1电阻变化存储组件设定成所述第1高电阻状态的电流的大小。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：所述第1晶体管是：所述第1栅极和所述第1漏极连接，

在所述第2写入期间，所述第2晶体管基于施加于所述第2栅极的电压对所述第2源极的电压进行箝制。

4.根据权利要求3所述的存储装置，其特征在于：在所述第2写入期间，向所述第1电阻变化存储组件施加基于由所述第2晶体管箝制的所述第2源极的电压的电压，而将所述第1电阻变化存储组件设定成所述第1高电阻状态。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：在所述第1写入期间流动到所述第1晶体管及所述第1电阻变化存储组件的电流的方向与在所述第2写入期间流动到所述第2晶体管及所述第1电阻变化存储组件的电流的方向相反。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：所述第1晶体管及所述第2晶体管为NMOS晶体管，

在所述第1写入期间，流动到所述第1晶体管的电流流动到所述第1电阻变化存储组件，

在所述第2写入期间，流动到所述第2晶体管的电流流动到所述第1电阻变化存储组件。

7.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：所述第1晶体管及所述第2晶体管为PMOS晶体管，

在所述第1写入期间，流动到所述第1电阻变化存储组件的电流流动到所述第1晶体管，

在所述第2写入期间，流动到所述第1电阻变化存储组件的电流流动到所述第2晶体管。

8.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：所述电压保持部包含电容器，所述电容器设置在所述第1栅极与所述第2栅极之间的配线。

9.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：所述第1电阻变化存储组件为磁阻效应组件。

10.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于：进而具备第1开关组件，所述第1开关组件对所述第1电阻变化存储组件串联连接，流动与流动到所述第1电阻变化存储组件的电流共通的电流。

11.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于进而具备：

第2电阻变化存储组件，根据写入电流设定第2低电阻状态或第2高电阻状态；

第1开关，设置在所述第1栅极与所述第1漏极之间；以及

第2开关，设置在所述第2栅极与所述第2漏极之间；

在所述第1及第2写入期间，所述第1开关为闭路状态，所述第2开关为开路状态，

在第3写入期间，所述第1开关为开路状态，所述第2开关为闭路状态，共通的电流流动到所述第2晶体管及所述第2电阻变化存储组件；

所述电压保持部保持在所述第3写入期间施加于所述第2栅极的第2电压，

在所述第3写入期间之后的第4写入期间，所述第1开关为开路状态，所述第2开关为闭路状态，由所述电压保持部保持的所述第2电压被施加于所述第1栅极，共通的电流流动到所述第1晶体管及所述第2电阻变化存储组件。