[发明专利]存储装置

说明书

本发明的实施方式提供一种能够适当地写入信息的存储装置。实施方式的存储装置具备：第1电阻变化存储元件，能够根据写入电流设定第1低电阻状态或第1高电阻状态；第1晶体管，具有第1栅极、第1源极及第1漏极，在第1写入期间，流动与流动到所述第1电阻变化存储元件的电流共通的电流；电压保持部，在所述第1写入期间之后保持施加于所述第1栅极的第1电压；以及第2晶体管，具有第2栅极、第2源极及第2漏极，在所述第1写入期间之后的第2写入期间，将由所述电压保持部保持的所述第1电压施加于所述第2栅极，而使电流流动到所述第1电阻变化存储元件。

[相关申请案]

本申请案享有将日本专利申请案2019-168649号(申请日期：2019年9月17日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种存储装置。

背景技术

提出有一种在半导体衬底上集成化有磁阻效应元件等电阻变化存储元件的存储装置。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够适当地写入信息的存储装置。

实施方式的存储装置具备：第1电阻变化存储元件，能够根据写入电流设定第1低电阻状态或第1高电阻状态；第1晶体管，具有第1栅极、第1源极及第1漏极，在第1写入期间，流动与流动到所述第1电阻变化存储元件的电流共通的电流；电压保持部，在所述第1写入期间之后保持施加于所述第1栅极的第1电压；以及第2晶体管，具有第2栅极、第2源极及第2漏极，在所述第1写入期间之后的第2写入期间，将由所述电压保持部保持的所述第1电压施加于所述第2栅极，而使电流流动到所述第1电阻变化存储元件。

附图说明

图1是示意性地表示第1实施方式的存储装置的构成的图。

图2是示意性地表示第1实施方式的存储装置中的记忆胞阵列区域的基本构成的鸟瞰图。

图3是示意性地表示第1实施方式的存储装置中的记忆胞所含的磁阻效应元件(电阻变化存储元件)的构成例的截面图。

图4是示意性地表示第1实施方式的存储装置中的记忆胞所含的选择器(开关元件)的电流-电压特性的图。

图5是表示第1实施方式的存储装置的第1写入期间中的写入动作的图。

图6是表示第1实施方式的存储装置的第2写入期间中的写入动作的图。

图7是示意性地表示第2实施方式的存储装置的构成的图。

图8是示意性地表示第3实施方式的存储装置的构成的图。

图9是示意性地表示第3实施方式的存储装置中的记忆胞阵列区域的基本构成的鸟瞰图。

具体实施方式

以下，参照图式对实施方式进行说明。

(实施方式1)

图1是示意性地表示第1实施方式的存储装置，即半导体集成电路装置的构成的图。

图1所示的存储装置包含：记忆胞阵列区域10、局部字线(LWL)选择电路20、位线(BL)选择电路30、全局字线(GWL)选择电路40、第1晶体管51、第2晶体管52、及电压保持部53。

图2是示意性地表示所述记忆胞阵列区域10的基本构成的鸟瞰图。