[发明专利]ESD保护结构有效
申请号: | 202010122153.9 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN111244089B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
发明(设计)人: | 陈国利;黄俊维 | 申请(专利权)人: | 成都纳能微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | esd 保护 结构 | ||
1.一种ESD保护结构,其特征在于:所述ESD保护结构包括输入电压端、与所述输入电压端相连的RC触发电路、与所述RC触发电路相连的正反馈电路、与所述RC触发电路和所述正反馈电路相连的反相器电路、与所述正反馈电路和所述反相器电路相连的钳位电路及与所述RC触发电路和所述钳位电路相连的接地端,所述RC触发电路控制所述反相器电路的输入端电压的上升时间,所述ESD保护结构通过所述正反馈电路加快所述反相器电路的输入端电压的上升时间,所述钳位电路泄放ESD电流,所述RC触发电路包括与所述输入电压端相连的第一电阻及与所述第一电阻相连的第一场效应管;所述正反馈电路包括与所述输入电压端相连的第二电阻、与所述第二电阻相连的第二场效应管及与所述第二场效应管相连的延时器。
2.如权利要求1所述的ESD保护结构,其特征在于,所述反相器电路包括与所述第一电阻、所述第一场效应管、所述第二场效应管及所述延时器相连的反相器;所述钳位电路包括与所述延时器及所述反相器相连的第三场效应管。
3.如权利要求2所述的ESD保护结构,其特征在于,所述输入电压端与所述第一电阻的一端、所述第二电阻的一端及所述第三场效应管的漏极相连;所述第一电阻的另一端与所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的漏极及所述反相器的输入端相连,所述第一场效应管的源极和漏极与所述第三场效应管的源极共同连接所述接地端。
4.如权利要求3所述的ESD保护结构,其特征在于,所述第二电阻的另一端与所述第二场效应管的源极相连,所述第二场效应管的栅极与所述延时器的输出端相连,所述第三场效应管的栅极与所述延时器的输入端及所述反相器的输出端相连。
5.如权利要求4所述的ESD保护结构,其特征在于,所述第二场效应管为P型场效应管,所述第一场效应管及所述第三场效应管为N型场效应管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都纳能微电子有限公司,未经成都纳能微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010122153.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种橡胶脱硫方法
- 下一篇:一种电器开关附件装配装置用翻转机构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的