[发明专利]ESD保护结构

说明书

本发明涉及一种ESD保护结构，包括输入电压端、与所述输入电压端相连的RC触发电路、与所述RC触发电路相连的正反馈电路、与所述RC触发电路和所述正反馈电路相连的反相器电路、与所述正反馈电路和所述反相器电路相连的钳位电路及与所述RC触发电路和所述钳位电路相连的接地端，所述RC触发电路控制所述反相器电路的输入端电压的上升时间，所述ESD保护结构通过所述正反馈电路加快所述反相器电路的输入端电压的上升时间，所述钳位电路泄放ESD电流。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种支持超速上电的ESD保护结构。

背景技术

在现有的ESD保护电路结构中，如果想要增强ESD能力，需要通过增大RC触发电路的RC时间常数来实现，但是过大的RC时间常数则会增加ESD电路结构的上电电流，过大的上电电流则会导致系统无法完成上电，因此，现有的ESD保护电路结构必须在ESD能力和上电电流之间进行折中。

综上所述，有必要提供一种ESD能力强且上电电流小的支持超速上电的ESD保护结构。

发明内容

本发明提供一种ESD保护结构，其主要目的在于可以实现超速上电，在保证ESD能力的同时，大大降低了上电电流。

为实现上述目的，本发明提供一种ESD保护结构，包括输入电压端、与所述输入电压端相连的RC触发电路、与所述RC触发电路相连的正反馈电路、与所述RC触发电路和所述正反馈电路相连的反相器电路、与所述正反馈电路和所述反相器电路相连的钳位电路及与所述RC触发电路和所述钳位电路相连的接地端，所述RC触发电路控制所述反相器电路的输入端电压的上升时间，所述ESD保护结构通过所述正反馈电路加快所述反相器电路的输入端电压的上升时间，所述钳位电路泄放ESD电流。

可选地，所述RC触发电路包括与所述输入电压端相连的第一电阻及与所述第一电阻相连的第一场效应管；所述正反馈电路包括与所述输入电压端相连的第二电阻、与所述第二电阻相连的第二场效应管及与所述第二场效应管相连的延时器。

可选地，所述反相器电路包括与所述第一电阻、所述第一场效应管、所述第二场效应管及所述延时器相连的反相器；所述钳位电路包括与所述延时器及所述反相器相连的第三场效应管。

可选地，所述输入电压端与所述第一电阻的一端、所述第二电阻的一端及所述第三场效应管的漏极相连；所述第一电阻的另一端与所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的漏极及所述反相器的输入端相连，所述第一场效应管的源极和漏极与所述第三场效应管的源极共同连接所述接地端。

可选地，所述第二电阻的另一端与所述第二场效应管的源极相连，所述第二场效应管的栅极与所述延时器的输出端相连，所述第三场效应管的栅极与所述延时器的输入端及所述反相器的输出端相连。

可选地，所述第二场效应管为P型场效应管，所述第一场效应管及所述第三场效应管为N型场效应管。

本发明提供的ESD保护结构，可以实现超速上电，在保证ESD能力的同时，大大降低了上电电流。

附图说明

图1为本发明一实施例提供的ESD保护结构的结构框图；

图2为本发明一实施例提供的ESD保护结构的具体电路结构图。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

现在参考附图描述本发明的实施例，附图中类似的元件标号代表类似的元件。

本发明提供一种ESD保护结构。参照图1所示，为本发明一实施例提供的ESD保护结构的结构框图。