[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1电极；

第2电极；

第3电极，从所述第1电极向所述第2电极的第1方向上的所述第3电极的位置处于所述第1方向上的所述第1电极的位置与所述第1方向上的所述第2电极的位置之间；

第1半导体区域，包含Al_x1Ga_1-x1N，其中0≤x11，所述第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域、第5部分区域、第6部分区域及第7部分区域，从所述第1部分区域向所述第1电极的第2方向与所述第1方向交叉，从所述第2部分区域向所述第2电极的方向沿着所述第2方向，从所述第3部分区域向所述第3电极的方向沿着所述第2方向，所述第4部分区域在所述第1方向上处于所述第1部分区域与所述第3部分区域之间，所述第5部分区域在所述第1方向上处于所述第3部分区域与所述第2部分区域之间；

第2半导体区域，包含Al_x2Ga_1-x2N，其中0x21、x1x2，所述第2半导体区域包括第1半导体部分及第2半导体部分，从所述第4部分区域向所述第1半导体部分的方向沿着所述第2方向，从所述第5部分区域向所述第2半导体部分的方向沿着所述第2方向，所述第6部分区域在所述第2方向上处于所述第4部分区域与所述第1半导体部分之间，所述第7部分区域在所述第2方向上处于所述第5部分区域与所述第2半导体部分之间；以及

第3半导体区域，包含Al_x3Ga_1-x3N，其中0x3≤1、x1x3，所述第3半导体区域包括第1半导体膜部，所述第1半导体膜部在所述第1方向上处于所述第6部分区域与所述第3电极之间，

所述第6部分区域包括与所述第1半导体部分相向的第1面和与所述第1半导体膜部相向的第2面，

所述第2面的至少一部分与所述第1面之间的第1角度小于90度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第3半导体区域还包括第2半导体膜部，

所述第2半导体膜部在所述第1方向上处于所述第3电极与所述第7部分区域之间，

所述第7部分区域包括与所述第2半导体部分相向的第3面和与所述第2半导体膜部相向的第4面，

所述第4面的至少一部分与所述第3面之间的第2角度大于90度。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第3半导体区域还包括第2半导体膜部，

所述第2半导体膜部处于所述第3电极与所述第7部分区域之间，

所述第7部分区域包括与所述第2半导体部分相向的第3面和与所述第2半导体膜部相向的第4面，

所述第4面的至少一部分与所述第3面之间的第2角度小于90度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第1电极与所述第3电极之间的距离比所述第3电极与所述第2电极之间的距离长。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

所述第3半导体区域还包括第3半导体膜部，

所述第3半导体膜部处于所述第3部分区域与所述第3电极之间。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

还具备包括第1绝缘部分、第2绝缘部分以及第3绝缘部分的第1绝缘部件，

所述第1绝缘部分处于所述第6部分区域与所述第3电极之间，

所述第2绝缘部分处于所述第3电极与所述第7部分区域之间，

所述第3绝缘部分处于所述第3部分区域与所述第3电极之间。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第1绝缘部件还包括第4绝缘部分，所述第1半导体部分处于所述第6部分区域与所述第4绝缘部分之间，

所述第4绝缘部分包括与所述第1半导体部分相向的第1绝缘部分面，

所述第1绝缘部分包括与所述第1半导体膜部相向的第2绝缘部分面，

所述第2绝缘部分面的至少一部分与所述第1绝缘部分面之间的绝缘部件面角度小于90度。