[发明专利]半导体装置

说明书

提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～3半导体区域。第1半导体区域包含Al_x1Ga_1‑x1N(0≤x11)。第2半导体区域包含Al_x2Ga_1‑x2N(0x21、x1x2)。第3半导体区域包含Al_x3Ga_1‑x3N(0x3≤1、x1x3)。第1半导体区域的第6部分区域包括与第2半导体区域的第1半导体部分相向的第1面、和与第3半导体区域的第1半导体膜部相向的第2面。所述第2面的至少一部分与所述第1面之间的第1角度小于90度。

本申请以日本专利申请2019-125293(申请日2019年7月4日)为基础，从该申请享受优先的利益。本申请通过参照该申请，包括该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置。

背景技术

有例如使用氮化物半导体的晶体管等半导体装置。在半导体装置中，期望提高特性。

发明内容

本发明的实施方式提供能够提高特性的半导体装置。

根据本发明的实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、第1半导体区域、第2半导体区域以及第3半导体区域。从所述第1电极向所述第2电极的第1方向上的所述第3电极的位置处于所述第1方向上的所述第1电极的位置与所述第1方向上的所述第2电极的位置之间。所述第1半导体区域包含Al_x1Ga_1-x1N(0≤x11)。所述第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域、第3部分区域、第4部分区域、第5部分区域、第6部分区域以及第7部分区域。从所述第1部分区域向所述第1电极的第2方向与所述第1方向交叉。从所述第2部分区域向所述第2电极的方向沿着所述第2方向。从所述第3部分区域向所述第3电极的方向沿着所述第2方向。所述第4部分区域在所述第1方向上处于所述第1部分区域与所述第3部分区域之间。所述第5部分区域在所述第1方向上处于所述第3部分区域与所述第2部分区域之间。所述第2半导体区域包含Al_x2Ga_1-x2N(0x21、x1x2)。所述第2半导体区域包括第1半导体部分以及第2半导体部分。从所述第4部分区域向所述第1半导体部分的方向沿着所述第2方向。从所述第5部分区域向所述第2半导体部分的方向沿着所述第2方向。所述第6部分区域在所述第2方向上，处于所述第4部分区域与所述第1半导体部分之间。所述第7部分区域在所述第2方向上处于所述第5部分区域与所述第2半导体部分之间。所述第3半导体区域包含Al_x3Ga_1-x3N(0x3≤1、x1x3)。所述第3半导体区域包括第1半导体膜部。所述第1半导体膜部在所述第1方向上处于所述第6部分区域与所述第3电极之间。所述第6部分区域包括与所述第1半导体部分相向的第1面、和与所述第1半导体膜部相向的第2面。所述第2面的至少一部分与所述第1面之间的第1角度小于90度。

根据上述结构的半导体装置，可提供能够提高特性的半导体装置。

附图说明

图1(a)以及图1(b)是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的示意性的剖面图。

图2是例示第1实施方式所涉及的半导体装置的特性的曲线图。

图3(a)以及图3(b)是例示第2实施方式所涉及的半导体装置的示意性的剖面图。

图4是例示第2实施方式所涉及的半导体装置的示意性的剖面图。

图5(a)以及图5(b)是例示第3实施方式所涉及的半导体装置的示意性的剖面图。

(附图标记说明)