[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

形成互连层以及覆盖于所述互连层表面的导电层；

形成覆盖所述导电层背离所述互连层表面的保护层；

刻蚀所述保护层和所述导电层，形成贯穿所述保护层和所述导电层的沟槽，且刻蚀过程中仅于所述保护层中形成削角；

采用高密度等离子体沉积工艺沉积部分介质层于所述沟槽的侧壁和底壁，此次沉积的所述介质层未填充满所述沟槽；

再采用高密度等离子体沉积工艺对所述沟槽进行封口，形成具有空气隙的介质层，所述空气隙自所述导电层中的所述沟槽内延伸至所述保护层中的所述沟槽内，所述空气隙的顶面与所述保护层的顶面平齐，以通过增大所述空气隙的高度来降低所述导电层发生裂缝的风险。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述互连层包括多个互连线以及位于相邻所述互连线之间的隔离层；形成互连层以及覆盖于所述互连层表面的导电层的具体步骤包括：

形成第一粘附层于所述互连层表面；

沉积金属材料于所述第一粘附层背离所述互连层的表面，形成所述导电层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成覆盖所述导电层背离所述互连层表面的保护层的具体步骤包括：

形成第二粘附层于所述导电层背离所述第一粘附层的表面；

沉积介电材料于所述第二粘附层表面，形成所述保护层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沉积介电材料于所述第二粘附层表面的具体步骤包括：

采用等离子体增强化学气相沉积工艺或高密度等离子体化学气相沉积工艺沉积介电材料于所述第二粘附层表面。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化物材料、氮化物材料、氮氧化物材料中的一种或者两种以上的组合。

6.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成贯穿所述保护层和所述导电层的沟槽的具体步骤包括：

至少刻蚀所述保护层、所述第二粘附层、所述导电层和所述第一粘附层，形成贯穿所述保护层、所述第二粘附层、所述导电层和所述第一粘附层的所述沟槽。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成贯穿所述保护层和所述导电层的沟槽的具体步骤包括：

刻蚀所述保护层、所述第二粘附层、所述导电层和所述第一粘附层和部分所述隔离层，形成贯穿所述保护层、所述第二粘附层、所述导电层和所述第一粘附层、并延伸至所述隔离层内的所述沟槽。

8.一种半导体结构，其特征在于，采用如权利要求1-7中任一项所述的半导体结构的形成方法形成。