[发明专利]存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：

形成衬底，所述衬底包括：导电层；绝缘体蚀刻终止层，其位于所述导电层之上；选择栅极层，其位于所述绝缘体蚀刻终止层之上；以及堆叠，其包括所述选择栅极层之上的竖直交替的绝缘层和字线层；

穿过所述绝缘层、所述字线层以及所述选择栅极层蚀刻到所述绝缘体蚀刻终止层且在所述绝缘体蚀刻终止层上终止，以形成具有包括所述绝缘体蚀刻终止层的各个底部的沟道开口；

穿透所述绝缘体蚀刻终止层以使所述沟道开口中的各个穿过所述绝缘体蚀刻终止层延伸到所述导电层；以及

在所述各个沟道开口中形成沟道材料，所述沟道材料竖向地沿着所述绝缘层、所述字线层以及所述选择栅极层且与所述导电层中的导电材料直接电耦合。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述沟道材料之后形成所述字线层中的各个字线的传导材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其包括在形成所述沟道材料之前形成所述字线层中的各个字线的传导材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体蚀刻终止层包括二氧化硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体蚀刻终止层包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体蚀刻终止层包括氧化铝、氧化铪以及包括多种不同金属元素的绝缘金属氧化物中的至少一个。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体蚀刻终止层比所述选择栅极层竖直地更薄。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘体蚀刻终止层比所述绝缘层和所述字线层中的每一个竖直地更薄。

9.根据权利要求1所述的方法，其包括多于一个选择栅极层。

10.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：

形成衬底，所述衬底包括：导电层；绝缘体蚀刻终止层，其位于所述导电层之上；第一堆叠，其包括所述绝缘体蚀刻终止层之上的多个选择栅极层：以及第二堆叠，其包括所述第一堆叠之上的竖直交替的绝缘层和字线层；

穿过所述绝缘层、所述字线层以及所述选择栅极层中的一个蚀刻到所述一个选择栅极层之下的所述选择栅极层中的另一个中的导体材料且在所述导体材料上终止，以形成具有包括所述另一选择栅极层中的所述导体材料的各个底部的沟道开口；

穿过所述另一选择栅极层蚀刻以使所述沟道开口中的各个穿过所述另一选择栅极层延伸到所述绝缘体蚀刻终止层且在所述绝缘体蚀刻终止层上终止，以形成包括所述绝缘体蚀刻终止层的所述沟道开口的所述各个底部；

穿透所述绝缘体蚀刻终止层以使所述沟道开口中的各个穿过所述绝缘体蚀刻终止层延伸到所述导电层；

在所述各个沟道开口中形成沟道材料，所述沟道材料竖向地沿着所述绝缘层、所述字线层、所述一个选择栅极层以及所述另一选择栅极层且与所述导电层中的导电材料直接电耦合；以及

形成位于所述一个选择栅极层中且位于所述另一选择栅极层中的选择栅极，所述选择栅极包括所述一个选择栅极层中的传导材料和所述另一选择栅极层中的所述导体材料。

11.根据权利要求10所述的方法，其中在成品电路构造中，所述第一堆叠包括所述选择栅极层中的不同者中的导电金属材料和导电掺杂半导电材料两者。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述成品电路构造中，所述导电金属材料所述导电掺杂半导电材料之上。

13.根据权利要求11所述的方法，其中在所述成品电路构造中，所述导电金属材料所述导电掺杂半导电材料之下。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述另一选择栅极层比所述一个选择栅极层竖直地更厚。