[发明专利]存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法

说明书

本公开涉及存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法，其包括形成衬底，所述衬底包括：导电层；绝缘体蚀刻终止层，其位于所述导电层之上；选择栅极层，其位于所述绝缘体蚀刻终止层之上；以及堆叠，其包括所述选择栅极层之上的竖直交替的绝缘层和字线层。蚀刻穿过所述绝缘层、所述字线层以及所述选择栅极层进行到所述绝缘体蚀刻终止层且在所述绝缘体蚀刻终止层上终止，以形成具有包括所述绝缘体蚀刻终止层的各个底部的沟道开口。穿透所述绝缘体蚀刻终止层以使所述沟道开口中的各个穿过所述绝缘体蚀刻终止层延伸到所述导电层。在所述各个沟道开口中形成沟道材料，所述沟道材料竖向地沿着所述绝缘层、所述字线层以及所述选择栅极层且与所述导电层中的导电材料直接电耦合。公开了独立于方法的结构。

技术领域

本文中所公开的实施例涉及存储器阵列且涉及用于形成存储器阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造于各个存储器单元的一或多个阵列中。可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)和存取线(其也可称为字线)来写入到存储器单元或从存储器单元读取。感测线可使存储器单元沿着阵列的列以导电方式互连，且存取线可使存储器单元沿着阵列的行以导电方式互连。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地寻址。

存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。通常将非易失性存储器指定为具有至少约10年保持时间的存储器。易失性存储器会消散，且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保持时间。无论如何，存储器单元配置成以至少两个不同的可选择状态保持或存储存储器。在二进制系统中，所述状态视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些各个存储器单元可配置成存储多于两个位或状态的信息。

场效应晶体管是一种类型的可用于存储器单元中的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，所述一对导电源极/漏极区在其间具有半导电沟道区。导电栅极与沟道区相邻且通过薄的栅极绝缘体与所述沟道区分隔。向栅极施加合适的电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一个流动到另一个。当从栅极去除电压时，很大程度上防止了电流流过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分的可以可逆方式编程的电荷存储区。

快闪存储器是一种类型的存储器，且大量用于现代计算机和装置中。举例来说，现代个人计算机可将BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，越来越常见的是，计算机和其它装置利用固态驱动器中的快闪存储器来替代常规硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中普及，这是因为快闪存储器使得制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，且使得制造商能够提供针对增强特征远程升级装置的能力。

NAND可以是集成快闪存储器的基本架构。NAND单元部件包括串联耦合到存储器单元的串联组合的至少一个选择装置(其中所述串联组合通常称为NAND串)。NAND架构可按包括竖直堆叠的存储器单元的三维布置来配置，所述竖直堆叠的存储器单元单独地包括可以可逆方式编程的竖直晶体管。控制或其它电路可形成于竖直堆叠的存储器单元之下。其它易失性或非易失性存储器阵列架构也可包括单独地包括晶体管的竖直堆叠的存储器单元。

发明内容