[发明专利]发光结构及其制备方法、显示面板

说明书

本申请提供一种发光结构及其制备方法、显示面板，以更加亲和、更具有相容性，不影响发光层的量子点的荧光性能，从而可以进一步提高器件性能。所述制备方法包括：在基底上形成阴极；在所述阴极上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成发光层，包括：制备量子点混合液，所述量子点混合液包括手性量子点、双链核酸片段和溶剂，所述手性量子点与所述双链核酸片段的质量比为2:1～8:1，所述手性量子点在所述量子点混合液中的质量百分比为0.4％～5％。所述发光结构由上述制备方法制得。所述显示面板包括上述的发光结构。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光结构及其制备方法、显示面板。

背景技术

量子点发光二极管(QLED)是不需要额外光源的尚处于研发阶段的自发光技术，被誉为下一代显示技术。当前，量子点发光层的引入主要通过旋涂和喷墨打印(IJP)。旋涂方法适用于制备小尺寸器件。IJP可以制备大尺寸器件，这样的操作成本较高，极易堵塞喷头；而且由于喷头直径的限制，以及液滴在打印后飞行的过程很容易受到气流影响而漂移，因此IJP难以制备高分辨QLED器件。

光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。该方案具有一定局限性，只有少数材料能通过这种方式形成图案。

近期，有发明人提出基于光刻技术制备图形化发光层的方法。该方法无需使用光刻胶，主要是通过在纳米材料溶液中加入光致生酸剂，通过光致生酸剂使得纳米材料的配体发生脱落而具有较低的溶解性，从而通过纳米材料的配体能够精准地将多种纳米材料光刻成图案。但是，量子点配体的脱落，使得发光层量子点的荧光性能下降，最终导致其制备的器件性能下降。

因此，发展新型的、更加亲和的量子点图形化工艺，保持图形化后发光层量子点的荧光性能，对于推动量子点发光显示具有重要作用。

发明内容

本申请提供一种发光结构及其制备方法、显示面板，以更加亲和、更具有相容性，不影响发光层的量子点的荧光性能，从而可以进一步提高器件性能。

根据本申请实施例的第一方面，提供一种发光结构的制备方法。所述发光结构的制备方法包括：

在基底上形成阴极；

在所述阴极上形成电子传输层；

在所述电子传输层上形成发光层，包括：

制备量子点混合液，所述量子点混合液包括手性量子点、双链核酸片段和溶剂，所述手性量子点与所述双链核酸片段的质量比为2:1～8:1，所述手性量子点在所述量子点混合液中的质量百分比为0.4％～5％，其中，所述双链核酸片段的长度大于90bp，并且包含a序列，所述a序列为GAT ATC，所述a序列不位于所述双链核酸片段的5’或3’末端处，所述手性量子点为手性配体修饰的量子点，且所述手性量子点能够在圆偏振光激发下产生羟基自由基，以切断所述双链核酸片段中所述a序列的T和A之间的磷酸二酯键；

将所述量子点混合液涂覆于所述电子传输层上；

对所述量子点混合液进行固化形成量子点混合膜；及，

通过所述圆偏振光对所述量子点混合膜图形化以形成所述发光层；

在所述发光层上形成层叠的空穴传输层和空穴注入层；及，

在所述空穴注入层上形成阳极。

可选的，在所述制备量子点混合液中，包括：

制备手性量子点溶液，所述手性量子点溶液包括手性配体修饰的量子点和磷酸盐缓冲溶液，所述手性配体修饰的量子点在所述手性量子点溶液中的质量百分比为0.8％～10％，且所述磷酸盐缓冲溶液的浓度小于0.1mol/L；