[发明专利]一种图案化晶圆干燥方法有效
申请号: | 202010125632.6 | 申请日: | 2020-02-27 |
公开(公告)号: | CN111312626B | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
发明(设计)人: | 邓信甫;李志峰;王雪松;徐铭;陈佳炜 | 申请(专利权)人: | 至微半导体(上海)有限公司;江苏启微半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 | 代理人: | 蔡岩岩 |
地址: | 200000 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图案 化晶圆 干燥 方法 | ||
本发明公开了一种图案化晶圆干燥方法,所述晶圆干燥方法包括在晶圆容纳室的底部设置一用于汇聚热氮气流至晶圆片底部的顶片模块并在洗涤槽之间开设有与晶圆容纳室内外侧相连通的排气缝,以及在第一入口处设置气体喷流模组以使热氮气具有提供足够的动能,所述顶片模块与晶圆片之间留有第一间隔,所述气体喷流模组包括若干可调节喷气流量的喷嘴,热氮气经由排气缝以及晶圆容纳室和顶片模块之间的空隙排出晶圆容纳室。本发明通过在在晶圆容纳室的底部设置一用于汇聚热氮气流至晶圆片底部的顶片模块,能够将晶圆片底部边缘部分充分干燥,使热氮气在气体喷流模组、晶圆容纳室和顶片模块之间形成循环气流场提高了干燥效率。
技术领域
本发明涉及晶圆干燥技术领域,具体为一种图案化晶圆干燥方法。
背景技术
在半导体制造领域中,晶圆产品可分为表面无加工的晶圆片、表面处 理后的平整晶圆片、具有部分图案化的晶圆产品,而上述第三种的晶圆产 品为具有图案形状的晶圆片,该晶圆产品的水分子在表面张力构成的毛细 现象会导致水分吸附于图案化的孔穴或柱孔内而无法被充分干燥,导致干 燥时间比长,效率比较低。并且一般晶圆片是架空在晶圆容纳室内的,水 分会随着重力附着在晶圆片底部的边缘位置,在一般的晶圆干燥方法中, 只能通过增加干燥时间来实现晶圆片底部的边缘位置的水分干燥以及图案 化的孔穴或柱孔内的水分干燥的问题,效率太低,并且在无法解决晶圆片 干燥不完全的问题。
发明内容
本发明通过在晶圆容纳室的底部设置一用于汇聚热氮气流至晶圆片底 部的顶片模块,使热氮气在气体喷流模组、晶圆容纳室和顶片模块之间形 成循环气流场提高了图案化晶圆片的干燥效率。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种图案化晶圆干燥方 法,提供一晶圆干燥装置,所述晶圆干燥装置包括干燥腔室、用于放置晶 圆的晶圆容纳室以及热氮气供应器,所述干燥腔室被设置为用于保留热氮 气,所述干燥腔室包括第一入口和第一出口以及从所述第一入口延伸至第 一出口的内壁结构,所述晶圆容纳室设置于干燥腔室内部,且包括若干与 晶圆片相匹配的洗涤槽;所述干燥腔室还包括一用于向干燥腔室内部通入异丙醇液体的第三入口以及用于排出异丙醇液体的第三出口,所述第三入 口和第三出口均设置在干燥腔室内远离第一入口的一侧;
晶圆干燥方法包括:
步骤S1、将待干燥晶圆片置入晶圆容纳室内并使每个晶圆片均置入对 应的洗涤槽内且相互之间间隔以形成晶圆片间隙;
步骤S2、在第三出口关闭状态下打开第三入口向干燥腔室内部通入异 丙醇液体直至晶圆容纳室内每个晶圆片均完全浸入在异丙醇液体中时关闭 第三入口,持续1-3min使异丙醇分子与晶圆片上的水分子完全相容后打开 第三出口使异丙醇液体完全排出后关闭第三出口;
步骤S3、将热氮气供应器的输出端口与第一入口密封连接以通过第一 入口向干燥腔室内部通入热氮气;
步骤S4、热氮气自第一入口沿经过晶圆片的至少三条气体流通路径流 动至干燥腔室内远离第一入口的一侧;
所述晶圆干燥方法还包括在晶圆容纳室的底部设置一用于汇聚热氮气 流至晶圆片底部的顶片模块并在洗涤槽之间开设有与晶圆容纳室内外侧相 连通的排气缝,以及在第一入口处设置气体喷流模组以使热氮气具有提供 足够的动能,所述顶片模块与晶圆片之间留有第一间隔,所述气体喷流模 组包括若干可调节喷气流量的喷嘴,热氮气在气体喷流模组、晶圆容纳室 和顶片模块之间形成循环气流场并经由排气缝以及晶圆容纳室和顶片模块 之间的空隙排出晶圆容纳室。
优选的,所述顶片模块上设置有若干与晶圆片相对应的聚流槽,所述 聚流槽用于汇聚热氮气至晶圆片底部边缘处。
优选的,所述气体喷流模组向干燥腔室内间歇性的喷射热氮气以使水 分子和异丙醇分子产生间歇性震荡。
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