[发明专利]半导体装置的制造方法及金属的层叠方法在审
| 申请号： | 202010127923.9 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN112242306A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 古谷健悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 金属 层叠 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，
所述半导体装置具备半导体部、有选择地设于上述半导体部上并与上述半导体部电连接的电极、和设于上述电极上的多层的金属层，
在所述半导体装置的制造方法中，
在上述电极上有选择地形成第1金属层；
形成将上述第1金属层覆盖的钯层；
形成将上述钯层覆盖的第2金属层；
将上述第2金属层置换为金层，在上述钯层上直接形成金层。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，
上述第1金属层及上述第2金属层含有镍。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，
上述金层使用非电解镀形成。
4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，
上述第1金属层、上述钯层及上述第2金属层使用非电解镀形成。
5.一种金属的层叠方法，
在基底层上形成含有镍的金属层；
以将上述金属层覆盖的方式形成含有钯的中间层；
以将上述中间层覆盖的方式形成含有镍的置换层；
将上述置换层的镍通过非电解镀置换为金，在上述中间层上形成金层。
6.如权利要求5所述的金属的层叠方法，
上述金属层、上述中间层及上述置换层使用无电解镀层形成。
7.如权利要求5或6所述的金属的层叠方法，
通过将上述置换层置换，形成与上述中间层接触的上述金层。
8.如权利要求7所述的金属的层叠方法，
上述金属层、上述中间层及上述置换层的层叠方向上的上述金层的层厚形成为比被置换为上述金层之前的上述置换层的上述层叠方向上的层厚厚。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，未经株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
