[发明专利]半导体装置的制造方法及金属的层叠方法

说明书

实施方式提供一种能够将使用非电解镀的金层的形成时间缩短的半导体装置的制造方法及金属的层叠方法。实施方式的半导体装置具备半导体部、有选择地设于上述半导体部上并与上述半导体部电气地连接的电极、和设于上述电极上的多层的金属层。在上述半导体装置的制造方法中，在上述电极上有选择地形成第1金属层；形成将在上述第1金属层上形成覆盖的钯层；形成将在上述钯层上形成覆盖的第2金属层；将上述第2金属层置换为金层，在上述钯层上直接形成金层。

本申请主张以日本专利申请2019－131287号(申请日：2019年7月16日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置的制造方法及金属的层叠方法。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，当形成焊盘等厚的金属层时，使用非电解镀法。例如，有时在薄层的钯层上使用非电解镀形成金层。但是，如果钯层厚，则金层的析出速度变慢。因此，为了得到规定的厚度的金层，非电解镀的时间变长，使制造效率下降。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够缩短使用非电解镀的金层的形成时间的半导体装置的制造方法及金属的层叠方法。

有关技术方案的半导体装置具备半导体部、有选择地设于上述半导体部上并与上述半导体部电连接的电极、和设于上述电极上的多层的金属层。在上述半导体装置的制造方法中，在上述电极上有选择地形成第1金属层；在上述第1金属层上形成钯层；在上述钯层上形成第2金属层；将上述第2金属层置换为金层，在上述钯层上直接形成金层。

附图说明

图1是表示有关实施方式的半导体装置的示意剖面图。

图2是表示有关实施方式的半导体装置的电极构造的示意剖面图。

图3(a)～图3(c)是表示有关实施方式的半导体装置的制造过程的示意剖面图。

图4(a)、图4(b)是表示有关比较例的半导体装置的制造过程的示意剖面图。

图5(a)、图5(b)是表示有关实施方式的半导体装置的构造的示意剖面图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。对于附图中的相同部分赋予相同的标号而适当省略其详细的说明，对不同的部分进行说明。另外，附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等并不一定与现实相同。此外，即使是表示相同部分的情况，也有时通过附图将相互的尺寸或比率表示得不同。

并且，使用各图中表示的X轴、Y轴及Z轴说明各部分的配置及结构。X轴、Y轴、Z轴相互正交，分别表示X方向、Y方向、Z方向。此外，有时将Z方向设为上方、将其相反方向设为下方而进行说明。

图1是表示有关实施方式的半导体装置1的示意剖面图。在图1所示的例子中，半导体装置1装配在安装基板10之上。

如图1所示，安装基板10包括装配垫板11和配线13。装配垫板11设于安装基板10的表面上。半导体装置1经由连接部件15装配在装配垫板11之上。此外，半导体装置1例如经由连接导体20与配线13电连接。

半导体装置1包括半导体部30、电极31、电极33、绝缘层34、金属层35、金属层37和金属层38。半导体装置1例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)。电极31例如是集电极电极，电极33例如是发射极电极。半导体部30例如是硅。

电极31设于半导体部30的背面上。电极31经由连接部件15与装配垫板11连接。装配垫板11例如是含有铜或铜合金的金属板。连接部件15例如是焊材。