[发明专利]一种晶片承载装置和立式扩散炉有效
申请号: | 202010128192.X | 申请日: | 2020-02-28 |
公开(公告)号: | CN111312637B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 吴艳华;孙妍;刘科学;杨慧萍;吕立伟;李元志;周文飞 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;C30B31/14 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 承载 装置 立式 扩散 | ||
1.一种晶片承载装置,所述晶片承载装置包括顶板、底板和多根承载柱,所述多根承载柱设置在所述顶板和所述底板之间,以将所述顶板和所述底板固定连接,多个所述承载柱用于承载晶片,其特征在于,所述晶片承载装置还包括至少一个固定片,所述固定片固定设置在所述顶板与所述底板之间,且所述固定片位于所述承载柱的端部;
所述承载柱的两个端部均设置有多个所述固定片,位于所述承载柱任意一个端部的多个所述固定片沿所述承载柱的高度方向间隔设置;
在所述晶片承载装置承载晶片的情况下,所述晶片在所述晶片承载装置中沿高度方向彼此间隔设置;
所述固定片之间的间隔距离以及所述晶片之间的间隔距离均与所述晶片的厚度相近,以在升温、降温工艺中,使热量由所述固定片向所述晶片传播的速率与热量在所述晶片之间传播的速率相近。
2.根据权利要求1所述的晶片承载装置,其特征在于,位于所述承载柱任意一个端部的多个所述固定片之间的间隔距离为0.5-10mm。
3.根据权利要求1所述的晶片承载装置,其特征在于,所述固定片的材质为石英和/或碳化硅。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的晶片承载装置,其特征在于,所述固定片与所述承载柱焊接连接。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的晶片承载装置,其特征在于,所述固定片为圆形板。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的晶片承载装置,其特征在于,所述顶板为圆形板。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的晶片承载装置,其特征在于,所述固定片的厚度为0.5-10mm。
8.根据权利要求1所述的晶片承载装置,其特征在于,所述承载柱的数量为3至5根。
9.一种立式扩散炉,包括晶片承载装置,其特征在于,所述晶片承载装置为权利要求1至8中任意一项所述的晶片承载装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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