[发明专利]具有垂直沟槽的源极或漏极结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

鳍，所述鳍具有下鳍部分和上鳍部分；

所述鳍的所述上鳍部分之上的栅极堆叠，所述栅极堆叠具有与第二侧相对的第一侧；

第一源极或漏极结构，所述第一源极或漏极结构包括在所述栅极堆叠的所述第一侧被嵌入所述鳍中的外延结构；以及

第二源极或漏极结构，所述第二源极或漏极结构包括在所述栅极堆叠的所述第二侧被嵌入所述鳍中的外延结构，所述第一和第二源极或漏极结构的所述外延结构具有在其中居中的垂直沟槽，并且所述第一和第二源极或漏极结构包括硅和V族掺杂剂杂质。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其中所述第一和第二源极或漏极结构的所述外延结构的每个的所述垂直沟槽具有包括单晶平面的侧壁。

3.如权利要求1或2所述的集成电路结构，其中所述第一和第二源极或漏极结构的所述V族掺杂剂杂质为磷。

4.如权利要求1或2所述的集成电路结构，其中所述第一和第二源极或漏极结构的所述V族掺杂剂杂质为砷。

5.如权利要求1或2所述的集成电路结构，其中所述第一和第二源极或漏极结构的所述V族掺杂剂杂质为磷和砷的组合。

6.如权利要求1或2所述的集成电路结构，其中所述下鳍部分包括下层体单晶硅衬底的一部分。

7.如权利要求1或2所述的集成电路结构，进一步包括：

分别沿所述栅极堆叠的所述第一和第二侧的第一和第二电介质栅极侧壁间隔部。

8. 如权利要求1或2所述的集成电路结构，进一步包括：

所述第一源极或漏极结构的所述外延结构上的第一导电接触部；以及

所述第二源极或漏极结构的所述外延结构上的第二导电接触部。

9.如权利要求8所述的集成电路结构，其中所述第一和第二导电接触部分别处于所述第一和第二源极或漏极结构的所述外延结构的每个的所述垂直沟槽中。

10.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包括：

形成鳍，所述鳍具有下鳍部分和上鳍部分；

形成所述鳍的所述上鳍部分之上的栅极堆叠，所述栅极堆叠具有与第二侧相对的第一侧；以及

形成第一源极或漏极结构，所述第一源极或漏极结构包括在所述栅极堆叠的所述第一侧被嵌入所述鳍中的外延结构，并形成第二源极或漏极结构，所述第二源极或漏极结构包括在所述栅极堆叠的所述第二侧被嵌入所述鳍中的外延结构，其中形成所述第一和第二源极或漏极结构的每个包括：

在所述鳍中形成凹陷；

在所述凹陷中外延生长硅材料，所述硅材料包括V族掺杂剂杂质，并且所述外延生长包括形成在所述硅材料中居中的V族富掺杂剂杂质区域；以及

去除所述V族富掺杂剂杂质区域，以形成在所述硅材料中居中的垂直沟槽。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述V族富掺杂剂杂质区域具有比所述硅材料的其余部分大至少两倍的所述V族掺杂剂杂质的浓度。

12. 如权利要求10或11所述的方法，进一步包括：

在所述第一源极或漏极结构的所述外延结构上形成第一导电接触部；以及

在所述第二源极或漏极结构的所述外延结构上形成第二导电接触部。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述第一和第二导电接触部分别在所述第一和第二源极或漏极结构的所述外延结构的每个的所述垂直沟槽中形成。

14.如权利要求10或11所述的方法，其中所述第一和第二源极或漏极结构的所述V族掺杂剂杂质为磷。

15.如权利要求10或11所述的方法，其中所述第一和第二源极或漏极结构的所述V族掺杂剂杂质为砷。