[发明专利]一种超厚转接板的制作方法

权利要求书

1.一种超厚转接板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

A，在双层SOI硅片转接板表面制作TSV，对TSV进行金属填充，减薄转接板背面，在转接板背面制作凹槽；

B，在凹槽内电镀金属，对凹槽进行胶体填充，在转接板背面制作RDL和焊盘；

C，对转接板TSV面做空腔刻蚀，腐蚀掉空腔内TSV；

D，在空腔内电镀金属，对空腔进行胶体填充，在转接板TSV面制作RDL和焊盘；

E，切割转接板成单一芯片，得到具有上下互联结构的转接板。

2.如权利要求1所述的超厚转接板的制作方法，其特征在于，所述步骤A具体包括：

准备双层SOI硅片，通过光刻和刻蚀工艺在硅片表面制作TSV；

TSV停在第二层SOI硅片上面，此处TSV直径为1um到1000um之间；

在硅片上方沉积钝化层，或者在硅片上方直接热氧化，钝化层厚度范围在10nm到100um之间；

通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层，种子层厚度范围在1nm到100um；

电镀铜，使铜金属覆盖TSV表面，200到500度温度下密化使铜更致密；

减薄SOI硅片另一面，减薄厚度在深度在10um到1000um，然后通过光刻和刻蚀的工艺在减薄面做凹槽，凹槽的开口包括圆形、椭圆形和方形，直径或边长范围为10nm到1000um，深度范围为10nm到1000um；

凹槽底部跟前面TSV底部接触，露出TSV底部金属。

3.如权利要求1所述的超厚转接板的制作方法，其特征在于，所述步骤C具体包括：

通过光刻和刻蚀的工艺在TSV面做空腔，空腔的开口包括圆形和方形，直径或边长范围为10nm到1000um，深度范围为10nm到1000um；

空腔底部停在第一层SOI硅片上面，对空腔内金属TSV柱进行腐蚀。