[发明专利]一种超厚转接板的制作方法

说明书

本发明公开了一种超厚转接板的制作方法，包括以下步骤：A，在双层SOI硅片转接板表面制作TSV，对TSV进行金属填充，减薄转接板背面，在转接板背面制作凹槽；B，在凹槽内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板背面制作RDL和焊盘；C，对转接板TSV面做空腔刻蚀，腐蚀掉空腔内TSV；D，在空腔内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板TSV面制作RDL和焊盘；E，切割转接板成单一芯片，得到具有上下互联结构的转接板。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种超厚转接板的制作方法。

背景技术

微波毫米波射频集成电路技术是现代国防武器装备和互联网产业的基础，随着智能通信、智能家居、智能物流、智能交通等“互联网+”经济的快速兴起，承担数据接入和传输功能的微波毫米波射频集成电路也存在巨大现实需求及潜在市场。

在后摩尔定律的时代背景下，通过传统的缩小晶体管尺寸的方式来提高集成度变得更加困难。现在的电子系统正朝着小型化、多样化、智能化的方向发展，并最终形成具有感知、通信、处理、传输等融合多功能于一体的高集成度低成本综合电子系统。多功能综合电子系统的核心技术是集成，正在由平面集成向三维集成、由芯片级向集成度和复杂度更高的系统级集成发展。三维集成系统级封装能够解决同样面积内集成更多的晶体管的问题，是未来的发展方向。

通过转接板做载板或者盖板来做系统级封装的结构既能在架构上将芯片由平面布局改为堆叠式布局，又能集成无源器件或分立元件等系统构建，使得精度、密度增加，性能大大提高，代表着未来射频集成电路技术的发展趋势，在多方面存在极大的优势特性：

a)三维异构集成系统级封装采用一个芯片壳体来完成一个系统的全部互连，使总的焊点大为减少，也缩短了元件的连线路程，从而使电性能得以提高。

b)三维异构集成系统级封装在同一转接板芯片中叠加两个或更多的芯片，把Z方向的空间也利用起来，又不必增加封装引脚，两芯片叠装在同一壳内与芯片面积比均大于100％，三芯片叠装可增至250％。

c)物理尺寸小，重量轻。例如，最先进的技术可实现4层堆叠芯片只有1mm厚的超薄厚度，三叠层芯片的重量减轻35％。

不同工艺(如MEMS工艺、SiGe HBT、SiGe BiCMOS、Si CMOS、III-V(InP、GaN、GaAs)MMIC工艺等)，不同材料(如Si、GaAs、InP)制作的不同功能的芯片(如射频、生物、微机电和光电芯片等)组装形成一个系统，有很好的兼容性，并可与集成无源元件结合。有数据显示，无线电和便携式电子整机中现用的无源元件至少可被嵌入30-50％。

但是在实际应用当中，转接板的应用并没有大量普及，主要是因为制作转接板的流程过于复杂，转接板厚度往往不超过200um，因此制作过程中必须用到临时键合的工艺，投入成本和制作成本都较高，限制了转接板在民用领域的发展。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种超厚转接板的制作方法。

为解决上述技术问题，本发明采用如下的技术方案：

本发明实施例的一方面用于提供一种超厚转接板的制作方法，包括以下步骤：

A，在双层SOI硅片转接板表面制作TSV，对TSV进行金属填充，减薄转接板背面，在转接板背面制作凹槽；

B，在凹槽内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板背面制作RDL和焊盘；

C，对转接板TSV面做空腔刻蚀，腐蚀掉空腔内TSV；

D，在空腔内电镀金属，对腔体进行胶体填充，在转接板TSV面制作RDL和焊盘；。

E，切割转接板成单一芯片，得到具有上下互联结构的转接板。

优选地，所述步骤A具体包括：