[发明专利]微发光二极管显示面板、其制作方法及显示装置有效
申请号: | 202010129244.5 | 申请日: | 2020-02-28 |
公开(公告)号: | CN111415926B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 翟应腾 | 申请(专利权)人: | 上海天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L25/00;H01L33/00;H01L21/677 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 201201 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
1.一种微发光二极管显示面板,其特征在于,包括:接收基板和多个微发光二极管;
所述接收基板包括基板和位于所述基板一侧的像素限定层,所述像素限定层设置有多个凹槽,所述凹槽的开口朝向由所述像素限定层指向的远离所述基板的方向,所述微发光二极管位于所述凹槽内;
所述凹槽的至少部分侧壁上覆盖有导电金属,所述导电金属包括第一绑定电极和第二绑定电极,所述第二绑定电极与所述第一绑定电极相互绝缘,且相对设置;
所述微发光二极管包括发光本体、与所述发光本体分别电连接的第一电极和第二电极,所述第一电极与所述第一绑定电极接触,所述第二绑定电极与所述第二电极接触;所述发光本体包括层叠设置的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层,所述有源层位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间;所述第一型半导体层、有源层和第二型半导体层的层叠方向垂直于所述基板所在平面的方向;所述第一电极与所述第二电极在第一方向相对设置,所述第一方向垂直于所述层叠方向;发光本体还包括第一转接部、第二转接部和高阻层,第一转接部与第一型半导体接触,第二转接部与第二型半导体接触,高阻层用于防止第一转接部与第二型半导体之间形成电接触,以及用于防止第二转接部与第一型半导体形成电接触;
其中,所述第一电极的与所述第一绑定电极接触的表面与所述凹槽的底面之间的夹角为钝角,所述第二电极的与所述第二绑定电极接触的表面与所述凹槽的底面之间的夹角为钝角;
所述凹槽的底面还包括凸起,所述凸起位于所述第一绑定电极和所述第二绑定电极之间,用于使所述第一绑定电极和所述第二绑定电极相互绝缘。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,
所述接收基板还包括薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管,且位于所述基板与所述像素限定层之间;
所述第一绑定电极延伸至所述凹槽的底面,且与所述薄膜晶体管电连接。
3.根据权利要求2所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,
所述像素限定层的远离所述基板的表面为第一表面,所述第二绑定电极还包括延伸至所述第一表面的部分,至少两个所述第二绑定电极的延伸至所述第一表面的部分电连接。
4.根据权利要求1所述微发光二极管显示面板,其特征在于,
所述侧壁的覆盖所述导电金属的部分与所述凹槽的底面之间的夹角为钝角。
5.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,
所述微发光二极管的靠近所述凹槽的底面的表面与所述凹槽的底面之间的距离大于或者等于0。
6.根据权利要求1所述的微发光二极管显示面板,其特征在于,
所述导电金属的材料包括铟、金和锡中的至少一种。
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