[发明专利]一种碲化镉晶体的低温液相制备方法

权利要求书

1.一种碲化镉晶体的低温液相制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤(1).将高纯碲及高纯镉按照质量配比4∶6的比例混合，加入质量分数为高纯碲及高纯镉总量1-5％的纳米碲化镉；

步骤(2).将上述原料进行球磨混料，使高纯碲、高纯镉及纳米碲化镉均匀混合；

步骤(3).将上述混合均匀的原料装入高温炉，设置升温曲线，使高温炉在氮气保护条件下按照升温曲线进行升温过程，以使所述高纯碲及高纯镉化学液相反应，形成晶体；

步骤(4).将高温炉冷却至室温，打开后取出碲化镉晶体；将合格的碲化镉晶体切割成不同直径，采用真空铝塑纸按片分装，并用真空封装机封口。

2.根据权利要求1所述的一种碲化镉晶体的低温液相制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中高纯碲及高纯镉粒度为100-150微米，纳米碲化镉粒径控制在60-150纳米。

3.根据权利要求1所述的一种碲化镉晶体的低温液相制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中升温曲线的最高温度不超过700℃；且在最高温度条件下的保温时间不超过6小时。

4.根据权利要求1所述的一种碲化镉晶体的低温液相制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中升温过程为1小时内从室温升至300℃，保温30min；之后，1小时内升至550～600℃，保温2h；然后，1小时内升至700℃，保温时间不超过6h。