[发明专利]一种碲化镉晶体的低温液相制备方法

说明书

本发明提供一种碲化镉晶体的低温液相制备方法，包括以下步骤：步骤(1).将高纯碲及高纯镉按照质量配比4∶6的比例混合，加入质量分数为高纯碲及高纯镉总量1‑5％的纳米碲化镉；步骤(2).将上述原料进行球磨混料，使高纯碲、高纯镉及纳米碲化镉均匀混合；步骤(3).将上述混合均匀的原料装入高温炉，设置升温曲线，使高温炉在氮气保护条件下按照升温曲线进行升温过程，以使所述高纯碲及高纯镉化学液相反应，形成晶体；步骤(4).将高温炉冷却至室温，打开后取出碲化镉晶体，并用真空封装机封口。本发明不会对环境和工作人员的健康造成损害，更不会导致碲化镉分解，反应过程充分，制成的碲化镉晶体纯度高，质量好，稳定性高。

技术领域

本发明涉及碲化镉晶体的制备技术领域，具体为一种碲化镉晶体的低温液相制备方法。

背景技术

碲化镉广泛地应用于光谱分析、太阳能电池、红外调制器、红外窗场致发光器件、光电池、红外探测、X射线探测、核放射性探测器、接近可见光区的发光器件中。但是目前国内还没有比较成熟配套的生产工艺系统，大部分碲化镉晶体仍然依赖进口，而采用传统将热棒插入碲和镉混合粉末中加热的方法制备碲化镉，其热棒加热不够均匀，反应不充分；而采用坩埚蒸发碲和镉反应生成碲化镉薄膜的方法，难于准确控制碲和镉的蒸发量，并且在大量制备碲化镉薄膜过程中，工作人员接触镉粉的机会较多，对工作人员和环境容易造成污染和损害。也有专利报道将碲粉镉粉按一定比例混合后，装入石英管，真空封管后，进行分段升温来制备碲化镉，但该方法流程较复杂，且反应剧烈，容易产生大量的飞溅。

发明内容

本发明所解决的技术问题在于提供一种碲化镉晶体的低温液相制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种碲化镉晶体的低温液相制备方法，包括以下步骤：

步骤(1).将高纯碲及高纯镉按照质量配比4∶6的比例混合，加入质量分数为高纯碲及高纯镉总量1-5％的纳米碲化镉；

步骤(2).将上述原料进行球磨混料，使高纯碲、高纯镉及纳米碲化镉均匀混合；

步骤(3).将上述混合均匀的原料装入高温炉，设置升温曲线，使高温炉在氮气保护条件下按照升温曲线进行升温过程，以使所述高纯碲及高纯镉化学液相反应，形成晶体；

步骤(4).将高温炉冷却至室温，打开后取出碲化镉晶体；将合格的碲化镉晶体切割成不同直径，采用真空铝塑纸按片分装，并用真空封装机封口。

所述步骤(1)中高纯碲及高纯镉粒度为100-150微米，纳米碲化镉粒径控制在60-150纳米。

所述步骤(3)中升温曲线的最高温度不超过700℃；且在最高温度条件下的保温时间不超过6小时。

所述步骤(3)中升温过程为1小时内从室温升至300℃，保温30min；之后，1小时内升至550～600℃，保温2h；然后，1小时内升至700℃，保温时间不超过6h。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明生产过程中没有添加任何其它的辅助材料或溶剂，整个过程全部在洁净间中进行，升温控制安全可靠，反应过程中没有蒸气外泄，不会对环境和工作人员的健康造成损害，更不会导致碲化镉分解，反应过程充分，制成的碲化镉晶体纯度高，质量好，稳定性高。

具体实施方式

为了使本发明的实现技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。

实施例1